富士電機レポート2017
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Fuji Electric Report 201720事業報告民生分野・他自動車分野産業分野産業分野、自動車分野、民生分野において、パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるパワー半導体を提供し、電力変換の高効率化や省エネに貢献します。 2017年度重点施策  パワー半導体は、高利益体質の構築に向け、産業・自動車分野向けの高付加価値製品の開発を加速し、売上拡大を図るとともに、新製品の生産設備の投資を行い、8インチウェハーの生産能力を拡大して生産性の向上を図ります。 ディスク媒体は、安定物量の確保と採算性の維持を図ります。産業分野向けパワー半導体の売上拡大 工場の自動化、IoT化を背景とし好調に推移するNC工作機械やロボット向け、および中国を中心に需要が拡大するエアコン向けに更なる省エネや小型・省スペース化を実現する第7世代IGBTモジュールを拡販します。パワー半導体の製品開発の強化 電気自動車の環境負荷低減や走行距離の改善に向けて搭載部品の小型・軽量化が求められるなか、当社は最先端のチップ技術、パッケージ技術、冷却技術を駆使し、出力電力密度でトップクラスのIGBTモジュールの開発に取り組み、将来の売上拡大を目指します。 また、更なる高変換効率、搭載装置の小型化などを実現 するSiCにおいて、産業機器や鉄道、自動車など幅広い分野向けに製品系列を拡大するとともに、性能改善に向けた開発を強化します。パワー半導体8インチウェハーの生産能力増強 松本工場、山梨製作所の8インチウェハー生産能力を拡大し、前工程におけるウェハーの大口径化を進め生産性の向上を図ります。<設備投資> 第7世代IGBT・SiCの生産設備、8インチウェハーの生産 能力増強、自動車用モジュールの生産設備増設、エアコン用IPMの生産能力倍増など<研究開発> SiCデバイス・モジュール、第7世代IGBTモジュールの製品開発、自動車用デバイス・モジュールなど電子デバイスIGBTモジュール車載IGBT電力制御ICインバータ自動車サーバSiCモジュール圧力センサパワーMOSFETNC工作機械薄型テレビパワーコンディショナ事業内容用途製品* 研究開発費をテーマに応じてセグメントに分類したもので、決算短信記載の数値とは異なります。売上高 (億円) 設備投資額 (億円) 海外比率61%59%営業利益 (億円) 研究開発費* (億円) (年度)(年度)(年度)(年度)増減額–58増減額+33増減額+3増減額–11,18589801281,127122831272016実績2017経営計画2016実績2017経営計画2016実績2017経営計画2016実績2017経営計画 半導体  ディスク媒体

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