ニュースリリース

パワー半導体（IGBT）の事業強化について

2007年9月28日
富士電機デバイステクノロジー株式会社

　富士電機デバイステクノロジー株式会社（取締役社長：高井 明）は、今後拡大が期待される電力用スイッチング素子の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）を生産する直径150ミリメートルの薄ウエハーラインとIGBTモジュールの組立工程の増強と新設を決定しました。新設ラインは将来の需要拡大を見すえ、現在ディスク媒体（ハードディスク）の生産拠点であるマレーシア富士電機社（マレーシア/ケダ州クリム）の敷地内に新設した工場に設け、ウエハープロセスから組立・検査までのモジュールの一貫した生産ラインの増産体制を整えていきます。

　産業用IGBTモジュールの生産能力は、今期第一四半期の月産60万個から順次増強し、2010年4月までに月産110万個に引きあげます。

1．設備投資の概要

(1) IGBT 150mm薄ウエハープロセス（前工程）

これによる産業用IGBT薄ウエハーの生産能力は、これまでの約2倍の39千枚となります。

(2)IGBTモジュール（後工程）

これによるIGBTモジュールの生産能力は110万個となります。

(3)投資額

総額 約280億円

2．当社のIGBT事業について

(1)市場の動向

　現在IGBTモジュール市場はマシン制御やロボット等の産業用途が堅調に拡大しており、パッケージエアコン、エレベータ用に加えて、鉄道、電力向けのインフラ用市場も急速に増加しています。また、環境問題や地球温暖化対策として、太陽光や風力発電用の新エネルギー分野向けの市場やハイブリット車に代表される車載用市場も拡大が著しく、市場の旺盛な需要が今後も継続することが期待されます。

(2)当社の対応

　当社は2007年度当初から、松本事業所のクリーンルームを活用したＩＧＢＴ薄ウエハープロセスの増産投資と、グループ会社の(株)大町富士のモジュール組立工程の増産投資を実施しており、今年度末の産業向け半導体の年間連結売上高は、対前年度 約40％増の約400億円を見込んでいます。今回の投資も市場の需要に応えるためで、計画的な生産能力の増強を進め、2006年の世界シェア26％の実績から2008年に35％、2010年に40％へのシェア向上を狙い、世界シェアNO.1を目指します。
　同時に車載用ＩＧＢＴについても今後の需要増に対応するため、生産能力の拡大を計画していきます。
　また、今回前工程のウエハープロセスを初めて海外に新設します。これは、欧米を中心に産業用途の堅調な拡大と中国・インドに代表されるBRICS市場のインフラ用途の急激な増加を見込んでおり、より成長市場に近い生産拠点での量産供給体制の確立を目指しています。

以上

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