富士電機
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ホーム > 富士電機について > ニュースリリース > 国内初、次世代パワー半導体SiC-SBD搭載産業用インバータの開発について

ニュースリリース

2012年4月4日
富士電機株式会社

国内初、次世代パワー半導体SiC-SBD搭載産業用インバータの開発について

  富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、次世代パワー半導体デバイスとして期待されるSiC(Silicon Carbide)を活用したSiC-SBD(SiC-Schottky Barrier Diode)を開発しておりますが、今回このSiCデバイスを搭載した産業用インバータ「FRENIC-MEGA GX-SiCシリーズ」を開発しましたのでお知らせ致します。
   本製品は、SiCデバイスを搭載した産業用インバータとしては、国内初の製品となります。

  当社は、今後もSiCデバイスを搭載した太陽光パワーコンディショナー、UPSの製品開発を進め、低炭素社会の実現に貢献していきます。

SiC:
優れた物理的・化学的性質を持ち、従来のシリコン(Si)を凌駕する小型・低損失の半導体デバイス。
これを電力変換部に採用することにより、大幅な損失低減を実現しています。

 

1.特長
(1) 大幅な低損失化の実現
従来製品比損失20%ダウン
(2) 大幅な効率改善(代表機種)効率95%→96%
11kWのインバータで従来製品比110Wの省エネを実現

 

2.製品仕様概要
定格電圧 出力 外形寸法(W・H・D) 型式
3φ200V、400V 5.5kW 220・260・195 FRN5.5GX1S-2/4JSI
7.5kW 220・260・195 FRN7.5GX1S-2/4JSI
11kW 220・260・195 FRN11GX1S-2/4JSI

 

3.主な適用分野

IDCや水処理施設などの常時運転している空調機やファンの制御

 

4.量産開始予定時期

2012年9月

 

【お客様問合せ先】

富士電機株式会社 パワエレ機器事業本部 ドライブ事業部 駆動企画部
tel:03−5435−7186




以上




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