ニュースリリース
国内初、次世代パワー半導体SiC-SBD搭載産業用インバータの開発について

2012年4月4日
富士電機株式会社

 富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、次世代パワー半導体デバイスとして期待されるSiC(Silicon Carbide)(注)を活用したSiC-SBD(SiC-Schottky Barrier Diode)を開発しておりますが、今回このSiCデバイスを搭載した産業用インバータ「FRENIC-MEGA GX-SiCシリーズ」を開発しましたのでお知らせ致します。
 本製品は、SiCデバイスを搭載した産業用インバータとしては、国内初の製品となります。

 当社は、今後もSiCデバイスを搭載した太陽光パワーコンディショナー、UPSの製品開発を進め、低炭素社会の実現に貢献していきます。

(注)

SiC:
優れた物理的・化学的性質を持ち、従来のシリコン(Si)を凌駕する小型・低損失の半導体デバイス。
これを電力変換部に採用することにより、大幅な損失低減を実現しています。

1.特長

2.製品仕様概要

3.主な適用分野

IDCや水処理施設などの常時運転している空調機やファンの制御

4.量産開始予定時期

2012年9月

【お客様問合せ先】

富士電機株式会社 パワエレ機器事業本部 ドライブ事業部 駆動企画部
tel:03-5435-7186

以上