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ニュースリリース

2013年4月17日
富士電機株式会社

新製品 - 「AT‐NPC 3レベル12 in 1 IGBTモジュール」シリーズの発売について
〜3モジュール分の回路を1パッケージにして機器の小型化に貢献〜

  富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、「AT‐NPC(Advanced T‐type Neutral‐Point‐Clamped) 3レベル12 in 1 IGBTモジュール」シリーズを発売しますのでお知らせいたします。

 

1.狙い

  当社は、2010年2月に、電力損失を大幅に削減する「AT‐NPC3レベル(新3レベル)変換回路」を開発し(※1)、2011年2月、本回路を適用したパワーモジュールを製品化しました(※2)。
  今回発売する製品は、省エネに加えて、必要な回路の1パッケージ化により、インバータやUPS(無停電電源装置)などパワーエレクトロニクス機器の小型化ニーズに応えます。

 

2.製品の特長

(1)搭載機器の小型化に貢献 AT‐NPC(Advanced T‐type Neutral‐Point‐Clamped) 3レベル12 in 1 IGBTモジュール
  1台のパワーエレクトロニクス機器(3相電源)に必要とされる3モジュール分の回路を1モジュールに集約しました。当社従来品を組み合わせた場合と比較し、実装面積(底面積)を60%縮小します。
 
(2)消費電力を大幅に削減
  当社の特許取得技術である「RB‐IGBT(逆阻止IGBT)」を用いた「AT‐NPC3レベル変換回路」により、電力損失を50%削減します(※3)。
 
(3)2種類のピン形状を用意
  ソルダピン(はんだ付け)とプレスフィットピン(圧力による装着)の両タイプを用意し、お客様の組立工程に合わせた選択が可能です。
 

(※1) プレスリリース http://www.fujielectric.co.jp/about/news/10020401/index.html
本技術は公益財団法人電気科学技術奨励会の「第60回電気科学技術奨励賞」を受賞しました。
 
(※2) プレスリリース http://www.fujielectric.co.jp/about/news/11021701/index.html
 
(※3) 当社2レベル方式との比較。キャリア周波数7kHz、電源電圧700V、出力電流30A(実効値)にて20kVAインバータ動作時。

 

(3レベル変換回路とRB-IGBTについて)

  3レベル変換回路は、出力電圧ステップ数を3レベル化することにより、従来の2レベルと比較してスイッチング時の電源電圧が1/2となり、スイッチング損失を低減します。加えて、当社の特許取得技術のRB‐IGBTを搭載することで、逆方向電流をブロックするためのダイオードが不要となり、導通損失をさらに低減でき、変換回路の効率をより高めることができます。

 

3.概略仕様
製品型式 パッケージ寸法(mm) 構成素子 定格電圧 定格電流
12MBI100VN-120-50
(ソルダピンタイプ)
122.5×62.5×17 IGBT 1200V 100A
RB-IGBT 600V
12MBI100VX-120-50
(プレスフィットピンタイプ)
IGBT 1200V 100A
RB-IGBT 600V
12MBI75VN-120-50
(ソルダピンタイプ)
IGBT 1200V 75A
RB-IGBT 600V
12MBI75VX-120-50
(プレスフィットピンタイプ)
IGBT 1200V 75A
RB-IGBT 600V
12MBI50VN-120-50
(ソルダピンタイプ)
IGBT 1200V 50A
RB-IGBT 600V
12MBI50VX-120-50
(プレスフィットピンタイプ)
IGBT 1200V 50A
RB-IGBT 600V

 

4.主な用途

インバータ、無停電電源装置(UPS)、家庭用太陽光発電用パワーコンディショナーなど

5.受注開始

2013年4月

6.製品に関するお問い合わせ先

富士電機株式会社
営業本部  半導体営業統括部  営業第一部
tel:03-5435-7152

(ご参考)「AT‐NPC 3レベル12 in 1 IGBTモジュール」の回路図

「AT‐NPC 3レベル12 in 1 IGBTモジュール」の回路図

  赤がRB‐IGBT、青がIGBTとFWD。当社従来製品はこの部分の素子で成る回路で1モジュールを形成。今回のモジュールは、3モジュール分の回路を1パッケージ化(1モジュール)することで小型化を実現しました。




以上




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