ニュースリリース
SⅰCパワー半導体　6インチラインの新設

2013年4月25日
富士電機株式会社

　富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、SⅰC（シリコンカーバイド）素子を用いたパワー半導体のライン新設を決定しましたのでお知らせいたします。

1．内容

パワー半導体の生産拠点である松本工場（長野県松本市）に、SⅰC生産設備として、前工程の6インチウェハープロセスラインおよび後工程の組立・試験ラインを新設します。
・生産能力（フル生産時）：前工程1,500枚／月、後工程80k台／月を計画しています。

2．投資額

33億円

3．稼動開始時期

2013年10月（予定）

4．設置の背景と狙い

インバータ、UPS（無停電電源装置）など、省エネに貢献するパワーエレクトロニクス機器は、2016年には世界市場で10．7兆円（注1）と大きな成長が見込まれ、これらの機器に搭載されるパワー半導体については、従来のSi（シリコン）に加え、次世代素子であるSⅰCの適用が期待されています。
SⅰCは低損失・高速動作・高温動作・高耐圧などの特長を備えており、今後は、こうした特性を活かし電力変換効率を向上したSⅰCパワエレ機器の市場が、2015年には6,000億円超（注2）に急成長すると予測しています。
本設備は、これまで主流だった3インチや4インチの前工程プロセスラインとは異なり、本格的なSiCの普及を前提に最先端の6インチラインを構築し、後工程の組立・試験を自動化ラインとすることで、SⅰC素子の低コスト化を図るとともに、SⅰCを適用したパワエレ機器製品の市場投入を加速するものです。

以上

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