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SiCハイブリッドモジュールの高耐圧・大容量化

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  • 電子デバイス
  • 省エネ
  • 発生損失の低減(従来比32%低減)
  • 現行互換パッケージ
  • 松本工場6インチ製造ラインで生産したSiC-SBDの搭載

SiC-SBDチップとSi-IGBTチップを組み合わせて搭載するSiCハイブリッドモジュールを製品化しています。

従来よりも高耐圧、大容量化したSiCハイブリッドモジュールを開発しています。

例えば、1700V1200AのモジュールはSiモジュールよりも発生損失が31%低く、煬率のインバータ動作が実現します。

ハイブリッドモジュールは既存のSiモジュールとの置換えが容易であり、適用範囲の拡大が見込めます。

今後、他のパッケージにおいてもハイブリッドモジュールを展開していく計画です。

外観(HPM)

損失シミュレーション結果

製品ラインナップ

キーワード

  • SiCデバイス
  • ハイブリッドモジュール
  • パワーデバイス
  • 鉛フリーはんだ 富士電機グループの環境問題への取り組み
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