Fuji Electric Device technology Co.,Ltd.
Fuji Electric's Semiconductors
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過去のお知らせ

2009年

2009.9.15 中文ホームページを「半導体グローバルWebサイト」としてリニューアル公開いたしました。PDFPDF [78KB]
2009.7.1 当社半導体の英文ホームページを「半導体グローバルWebサイト」としてリニューアル公開いたしました。
2009.5.15 富士電機グループ内 営業再編についてPOPUP
2009.4.15 2009年4月15～17日にテクノフロンティア2009に出展致しました。
2009.2.20 第1回国際カーエレクトロニクス技術展へのご来場の御礼
2009.2.12 第5076回QCサークル関東支部改善事例チャンピオン大会で当社発表サークルが銀賞を受賞いたしました。

2008年

2008.12.15 環境情報に含有化学物質の管理を掲載致しました。
2008.12.11 第5059回QCサークル長野地区改善事例チャンピオン大会で当社発表サークルが最高賞を受賞しました。
2008.12.5 2008年日本産業広告賞 新聞部門 モノクローム広告賞で「佳作」を受賞しました。
2008.12.5 2009年1月28～30日に東京ビッグサイトにて開催されます国際カーエレクトロニクス技術展に出展致します。
2008.11.21 Semikron社とパワーエレクトロニクス事業分野での協業についてPDFPDF [57KB]
2008.10.15 11月4～8日に上海にて開催されます中国国際工業博覧会に出展致します。
http://www.fujielectric.co.jp/news/08101401/index.htmlPOPUP
2008.9.26 製品データシート検索サーバ停止のお知らせ
ご迷惑をおかけいたしますが、10月13日（月・祝日）AM9:00～PM17:00の間、法定電気設備点検が行なわれる予定のため、「製品データシート検索（ダウンロード）」のサーバーを停止させていただきます。
ご理解の程よろしくお願い致します。
2008.9.5 9月11～14日に開催されるメッセナゴヤ2008（ポートメッセなごや）に
出展いたします。
http://www.messenagoya.jp/index.htmlPOPUP
2008.8.29 サージ保護素子(Z-TRAP)は2008年10月1日より廃型品種へ移行致します。
詳細は添付を参照下さい。PDFPDF [200KB]
2008.8.28 大容量向け産業用IGBTモジュールの新製品の発売につきまして、
IGBT-MDLのHigh Power Module(HPM)をプレスリリース致しました。
http://www.fujielectric.co.jp/news/08082701/index.htmlPOPUP
2008.7.24 製品別アプリケーション・技術資料にIGBTモジュール S、U2、U4シリーズの
技術資料を掲載致しました。
2008.6.16 富士電機グループフェア（九州）に出展いたします。
2008年 7月23、24日 「福岡ファッションビル」で開催されます。
http://www.fujielectric.co.jp/news/08060902/index.htmlPOPUP
2008.4.1 「欧州RoHS指令対応」を改訂しました。
2008.3.12 4月16～18日に開催されるテクノフロンティア2008
（幕張メッセ）に出展いたします。
2008.1.31 「総合カタログ抄録」を改訂しました。

2007年

2007.11.5 デザインサポート「IGBT損失シュミレーション」に「負荷サイクルの計算が出来るソフト」を掲載いたしました。
2007.10.23 富士電機グループフェア（三重）に出展いたします。
2007年 11月21、22日
「メッセウイング・みえ」で開催されます。POPUP
2007.10.10 サージ保護素子(Z-TRAP)は2007年10月15日より保守品へ移行致します。
詳細は添付を参照下さい。PDFPDF [73KB]
2007.10.4 パワー半導体（IGBT)の事業強化について
  マレーシアに新生産拠点を新設し、IGBTモジュール一貫生産ラインの増産体制を整えていきます。
http://www.fujielectric.co.jp/news/07092801/index1.htmlPOPUP
2007.9.19 製品データシート検索サーバ停止のお知らせ
ご迷惑をおかけいたしますが、10月8日（月・祝日） AM8:00～PM6:00の間、法定電気設備点検が行なわれる予定のため、「製品データシート検索（ダウン ロード）」のサーバーを停止させていただきます。ご理解の程よろしくお願い致します。
2007.5.22 富士電機グループフェア（東北）に出展いたします。
2007年 6月20、21日
仙台卸商センター産業見本市会館「サンフェスタ」で開催されます。POPUP
2007.4.2 廃型製品データーシート検索システムをアップしました。
このデータシート検索では40年前からの標準半導体のデータシートが検索出来ます。
〔製品情報＞廃型情報＞廃型製品データーシート検索〕POPUP
2007.3.30 英語サイト、中国語サイトをリニューアルいたしました。
2007.3.7 【再掲載　重要】メサ型ダイオード、中容量ダイオード、上部電極半田付けダイオードは2007年3月30日をもって廃型（最終ご注文受付日）とさせていただきます。
2007.2.26 PWM-IC FA5528/38シリーズ、擬似共振IC FA5540系のアプリケーションノートをアップデートしました。

2006年

2006.10.2 製品データシート検索サーバー停止のお知らせ
ご迷惑をおかけしますが、10月9日(月・祝日) AM8:00～PM6:00の間、法定電気設備点検が行われる予定のため、「製品データシート検索（ダウンロード）」のサーバーを停止させていただきます。ご理解の程よろしくお願いいたします。
2006.10.2 日本語サイトをリニューアルしました。
2006.9.9 ＩＧＢＴモジュール・ＩＰＭの損失計算シミュレータVer.2が、ＣＱ出版社「トランジスタ技術」１０月号（9月9日発売）で紹介されました。
2006.9.5 パワーモジュール編、「IGBT損失計算シミュレーション」に低速時の温度リプルが計算できる改訂版(Ver.2)を掲載しました。
2006.8.4 当社は 8月11日(金) から 8月15日(火) まで、誠に勝手ながら一斉夏季休業とさせていただきます。この期間のインターネット、郵便、ファクスによるお問合せのご回答は 8月16日(水) 以降になりますことご了承ください。
2006.6.19 【重要】メサ型ダイオード、中容量ダイオード、上部電極半田付けダイオードは2007年3月をもって廃型とさせていただきます。
詳細型式につきましては添付を参照ください。PDFPDF [204KB]
2006.6.13 新聞発表： IGBTモジュールの新製品「New Dual」を7月20日より発売いたします。,info_20060613.pdf
2006.6.2 パワーモジュール編、「クイック セレクション ガイド」を改訂しました。
2006.3.28 「総合カタログ抄録」を改訂しました。
2006.1.26 PCIM CHINA 2006に出展いたします。2006年3月21日-23日中国、上海で開催。

2005年

2005.11.28 「総合カタログ抄録」を改訂しました。
2005.11.4 「ESJCシリーズ」高圧ダイオードは2006年3月をもって廃型とさせていただきます。
詳細型式につきましては添付を参照ください。PDFPDF [99KB]
2005.9.5 パワーモジュール編に「IGBTモジュール Uシリーズ 技術資料」を掲載いたしました。
2005.8.31 ICの新製品を掲載いたしました。
2005.8.17 ディスクリート半導体編に不燃Z-TRAP ENFシリーズを掲載しました。
2005.7.6 IGBT損失計算ソフトに、最新のU2，U4シリーズを掲載いたしました。
2005.4.28 当社は4月29日(金)から5月8日(日)まで、誠に勝手ながら一斉休業とさせていただきます。 申し訳ございませんが、この期間のインターネット、郵便、ファクスによるお問合せのご回答は5月9日(月)以降になりますことご了承ください。
2005.4.18 S-shopping閉店のお知らせ
S-shoppingは2005年4月19日PM8:00をもって閉店させていただきます。 ながらくのご愛顧ありがとうございました。尚、以降の問い合わせは、 power-semicon@fujielectric.co.jpまで、ご連絡願います。
2005.3.31 電源システム展に出展いたします。2005年4月20日-22日幕張メッセで開催。
2005.2.25 PCIM CHINA 2005に出展いたします。2005年3月15日-17日中国、上海で開催。

2004年

2004.12.9 「総合カタログ抄録」を改訂しました。
2004.12.9 パワーモジュール編に「クイック セレクション ガイド」を掲載しました。
2004.12.9 パワーモジュール編に アプリケーションマニュアル RH983aの補足資料を掲載しました。
・「R-IPM 地絡モードにおける保護について」（MT6M3046）
・「ケース温度の測定」（MT6M5313）
2004.7.27 「パワーモジュール編」のIGBT-IPM アプリケーション マニュアル（RH983a)を改訂しました。
2004.7.6 「ディスクリート半導体編」の「新製品データシート」にパワーMOSFET FAP-G シリーズ　39機種「系列拡充」を掲載しました。
2004.3.18 「半導体デバイス」の中国語ウエブサイトをオープンしました。

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