富士電機
  • Global
  • 総合サイトマップ
  • 関係会社情報
  • 国内販売ネットワーク
  • 国内拠点

改廃のお知らせ

こちらではパワー半導体の改廃のお知らせをご紹介しています。

 

改廃のお知らせ

情報公開日 内容 対象型式
2014.03.10 バイポーラトランジスタ廃型のご案内 詳細はこちら
2014.03.10 IGBTモジュール Sシリーズ、Pシリーズ廃型のご案内 詳細はこちら
2010.11.16 IGBTモジュール Nシリーズは廃型品とさせていてただきます。 詳細はこちらPDF
2008.08.29 サージ保護素子(Z-TRAP)は2008年10月1日より廃型品種へ移行致します。 詳細はこちらPDF
2006.06.19 メサ構造ダイオード及び上部電極はんだ付けTOパッケージ品廃型のご案内 詳細はこちらPDF
2005.11.04 高圧ダイオード「ESJC シリーズ」廃型のご案内 ESJCシリーズPDF
 

製品変更通知

情報公開日 内容 対象型式
2010.03.12 パワーMOSFET、ダイオードパッケージ捺印表示仕様変更のお知らせ 詳細はこちら