富士電機
  • Global
  • 総合サイトマップ
  • 関係会社情報
  • 国内販売ネットワーク
  • 国内拠点

SiCデバイス

SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現することができます。

特長

SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ

高性能チップ適用

  • 低損失のV シリーズIGBT
  • 低損失のSiC-SBD

従来のSi-IGBT モジュール製品とパッケージ互換

SiC ショットキーバリアダイオード

高速スイッチング特性

  • 電源の高周波動作、システムの小型軽量化

低VF 特性

低IR 特性

  • Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化

高逆サージ耐量

製品一覧