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Fuji Electric's Semiconductors
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改廃情報

こちらではパワー半導体の改廃情報をご紹介しています。

廃型情報

情報公開日 内容 対象型式
2010.11.16 IGBTモジュール Nシリーズは廃型品とさせていてただきます。 詳細はこちら
2008.8.29 サージ保護素子(Z-TRAP)は2008年10月1日より廃型品種へ移行致します。 詳細はこちら
2006.6.19 メサ構造ダイオード及び上部電極はんだ付けTOパッケージ品廃型のご案内 詳細はこちら
2005.11.4 高圧ダイオード「ESJC シリーズ」廃型のご案内 ESJCシリーズ

製品変更通知

情報公開日 内容 対象型式
2010.3.12 パワーMOSFET、ダイオードパッケージ捺印表示仕様変更のお知らせ 詳細はこちら
     

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