Home
製品情報
製品検索
新製品情報
改廃情報
IGBT
IGBTモジュール PIM
IGBTモジュール 6-Pack
IGBTモジュール 4-Pack
IGBTモジュール 2-Pack
IGBTモジュール 1-Pack
IGBTモジュール チョッパー
IGBTモジュール 高速タイプ
IGBTモジュール アドバンスドNPC
IGBTモジュール IPM
IGBTディスクリート
電源制御用IC
AC/DC電源制御用IC(PWM制御)
AC/DC電源制御用IC(擬似共振制御)
AC/DC電源制御用IC(力率改善制御)
ハイサイド・ローサイドドライバIC
DC/DC電源制御用IC
パワーMOSFET
パワーMOSFET(30V~60V)
パワーMOSFET(100V~300V)
パワーMOSFET(400V~500V)
パワーMOSFET(600V~700V)
パワーMOSFET(800V~900V)
パワーMOSFET(-30V~-60V)
スイッチング電源用マルチチップパワーデバイス(M-Power)
Super J-MOS(600V)
整流ダイオード
ショットキーバリアダイオード(シングル)
ショットキーバリアダイオード(デュアル)
ファーストリカバリダイオード(シングル)
ファーストリカバリダイオード(デュアル)
自動車用半導体製品
IGBTモジュール
パワーIC
トレンチMOSFET
圧力センサ
技術情報
用途別製品
パソコン
薄型TV
携帯機器
デジタルカメラ/デジタルビデオ
スイッチング電源
インバータ
NC/サーボ
産業用電源(UPS・新エネ 他)
自動車用半導体製品
アプリケーションマニュアル
アプリケーションマニュアル
IGBTモジュール
アプリケーションマニュアル
第6世代VシリーズIGBTモジュール
アプリケーションマニュアル
IGBT-IPM
アプリケーションマニュアル
MOSFET
技術資料
アドバンスドNPC 3レベルインバータモジュール
IGBTモジュール Vシリーズ共通
IGBTモジュール V-600Vシリーズ
IGBTモジュール V-1200Vシリーズ
IGBTモジュール V-1700Vシリーズ
IGBTモジュール Uシリーズ共通
IGBTモジュール U2シリーズ共通
IGBTモジュール U4-1200Vシリーズ
IGBTモジュール U4-1700Vシリーズ
IGBTモジュール Sシリーズ共通
IGBTモジュール
マウンティングインストラクション
デザインサポート
IGBT損失シミュレーションソフト
富士時報
Fuji Electric Review
カタログ・セレクションガイド
総合カタログ
クイックセレクションガイド
IGBTモジュール
環境負荷物質への対応
欧州RoHS指令対応
含有化学物質の管理
品質・環境管理システム
お問合せ
カタログ・マニュアル・データシート等のご使用上の注意について
ご使用上の注意
Adobe Readerダウンロード
Adobe Flash Playerダウンロード
HOME
>
技術情報
>
技術資料
>
技術資料 - IGBTモジュール Uシリーズ共通
English
Chinese
技術資料 - IGBTモジュール Uシリーズ共通
全ページ一括
PDF [1,923KB]
1.パワーサイクル耐量 [MT5Z02525c]
PDF [261KB]
2.RBSOA、RCSOA [MT5F13198]
PDF [87KB]
3.大電流出力特性 [MT5F13582]
PDF [189KB]
4.短絡電流とV
GE
特性 [MT5F14993]
PDF [307KB]
5.2個組並列接続の適用 [MT5F14514]
PDF [254KB]
6.スイッチング損失dv/dtとC
GE
、R
G
[MT5F14571]
PDF [496KB]
7.-V
GE
とスイッチング損失特性 [MT5F13288]
PDF [77KB]
8.耐圧と接合部温度の依存性 [MT5F13015]
PDF [190KB]
9.V
CES
とTj特性 [MT5F14432]
PDF [225KB]
10.-dIc/dtとTj特性 [MT5F14433]
PDF [121KB]
11.ダイナミックアバランシェ電圧とTj特性 [MT5F14434]
PDF [143KB]
12.過渡熱インピーダンス [MT5F14621]
PDF [877KB]
ページの先頭へ戻る