富士電機（株）

技術開発本部 電子デバイス研究所 次世代デバイス開発センター
ＳｉＣ開発部 デバイスグループ
1994年度入社
電子工学部電子工学科卒

パワーMOSFETの研究・開発に奮闘
思い通りになったときの喜び

富士電機入社後、パワーデバイスであるIGBT、MOSFETの開発に11年間従事しています。
2005年に現場に近いCR部技術部に転属となり、パワーデバイス製品の良品率改善を推進しました。
2006年には海外留学制度を利用し、カナダのトロント大学に2年間留学していました。 現在、電子デバイス研究所にてパワーMOSFETの研究・開発を行っています。

Q.1現在はどのような仕事を担当していますか？

スーパージャンクションMOSFETと呼ばれる低損失化が可能なMOSFETの開発を進めています。 パワーMOSFETはアダプタやノートPCなどに使われるスイッチングデバイスであり、動作時に発生する損失をいかに低減するかが大きな課題となります。この課題を解決するために、デバイスシミュレーションを用いて解析、対策を行っています。

Q.2仕事の難しい点、やりがいを教えてください。

MOSFETは半導体で作られていますが、ウソをつくことがありません。
設計がまずければ想定した特性を出すことができませんし、要求仕様を満たすこともできません。逆に、物理現象を的確に捉え、理論的な追い込みを行った設計であれば、思った通りのデバイスが出来上がります。
ウソをつかないものを相手にしているだけに、難しいところは多々ありますが、自分が考えていた通りになったときの達成感は格別です。

Q.3仕事で失敗してしまったエピソードを教えてください。

初めてIGBTを量産化したとき、チップ歩留まりが悪く、多くの方々に迷惑をかけてしまいました。
シミュレーションでの特性追い込みが足りなかったこともありますが、実デバイスの特性をきちんと見ていなかったのが原因でした。自分の設計の未熟さ、知見の浅さをイヤと言うほど感じました。

Q.4休日はどのように過ごしていますか？

留学する前は英語の勉強などに時間を割いていましたが、最近は留学中に嵌まった海外コメディやドラマを見たりして休日を過ごしています。
お気に入りは、 “The King of Queens”, “Friends”, “Two and a half men”などです。聞き取れないところが多いですが、なぜか笑えます。