富士電機
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富士時報のご紹介

■富士時報 2003年 第3号 本文:PDF:2.6MB

表紙 IC特集

富士電機のICの現状と展望
本文:PDF  
鶴田 芳雄・黒田 栄寿

富士電機では高耐圧技術,CMOSアナログ技術,ディジタル技術をコア技術とし,電源IC,FPD用ドライバICなどを中心に製品展開を図っている。特に,電源ICにおける低消費電力化技術や,高耐圧製品に対しての高耐圧プロセス・デバイス技術など特徴ある技術を開発し,製品に適用している。また,独自のセンサ複合化技術を開発しており,カメラ用オートフォーカスICや自動車用圧力センサなどに応用されている。本稿では,これらの特徴を生かした新製品,新技術について概要を紹介する。

起動素子付き低待機電力対応電源IC
本文:PDF  
丸山 宏志・城山 博伸・園部 孝二

近年,地球温暖化が世界的な問題としてクローズアップされ,電気・電子製品全般での省エネルギー化が重要となっている。特に常時AC電源のコンセントに接続した状態で使用されるテレビ,ビデオテープレコーダ,OA機器,パソコンのACアダプタなどでは,実際に使用している時間より,待機状態となっている時間が圧倒的に長いため,この待機時電力の低減が望まれている。この要求に応えるため,待機時の電力を低減する機能を内蔵したカレントモード制御ICを開発したのでその概要を紹介する。

液晶モニタ用3チャネルDC-DCコンバータ制御IC
本文:PDF  
藤井 優孝

近年,電子機器の表示機器の主流はCRTモニタから軽薄短小および低消費電力化が可能な液晶モニタへと移行してきている。一方,液晶モニタ用の電源においてもコストダウン要求が厳しく,外付け部品の削減が可能な電源ICが求められている。従来,大型の液晶モニタ用電源では外付けパワーMOSFET駆動用にバッファを必要としていたが,富士電機ではバッファを不要とし直接パワーMOSFETを駆動可能な液晶モニタ用3チャネルの電源制御ICを開発・製品化した。本稿ではこの制御ICの特徴および応用回路例を紹介する。

1.8V起動2チャネルDC-DCコンバータ制御IC
本文:PDF  
野村 一郎・中橋 保徳

ディジタルスチルカメラなどの携帯機器では,小型化や連続動作長時間化に対応し,待機時および定常動作時の低消費電力化,バッテリー搭載数低減のための低電圧動作の重要性が高まっている。富士電機ではこれらの要求に応え,電源入力1.8〜10V動作,低消費電力化に向けたパワーMOSFET直結駆動と待機時消費電流7μA(typ.),厚さ0.95mm以下のSON16パッケージへの搭載を達成した2チャネル出力DC-DCコンバータ制御IC「FA7715J」を製品化し,携帯機器の連続動作長時間化や小型化に貢献した。

小型5チャネルDC-DCコンバータ制御IC
本文:PDF  
山田谷政幸

ディジタルスチルカメラを中心とした携帯型電子機器は近年急速に高性能・多機能化が進んでいるが,同時に小型・薄型化も顕著である。これらを構成する部品は多岐にわたり,必要な電圧の種類が多いのが実情である。したがって電源基板の面積の占める割合は比較的大きく,この削減要求が高まっている。富士電機ではこの要求に応え,外付け部品を大幅に削減し,5チャネル出力で36ピン小型パッケージを採用したFA7716Rを開発した。

シリーズレギュレータIC
本文:PDF  
荒井 裕久

近年,普及が急速に進んでいるPDAやディジタルスチルカメラ,携帯電話などの携帯電子機器の半導体部品には,小型化・軽量化・低消費電力化の要求が高い。そのシステムの中で安定化した電源を供給すべく,低消費電流型シリーズレギュレータが必要となる。富士電機では,低消費電力化(消費電力の削減),小型化(SOT23-5パッケージ)に対応した携帯機器用電源ICとしてシリーズレギュレータICを開発,製品化したので概要を紹介する。

マイクロDC-DCコンバータチップサイズモジュール
本文:PDF  
林  善智・片山  靖・江戸 雅晴

携帯用電子機器において急速に進む小型・薄型・軽量化のニーズに応える超小型で高効率のスイッチング方式DC-DCコンバータモジュールを開発した。従来,外付け部品の中で大きな体積を占めていたインダクタを薄膜技術によりフェライトウェーハに形成し,これにモジュール支持基板としての機能を持たせる構造を採用してICチップを搭載することにより,斬新(ざんしん)な小型化・薄型化を実現した。本稿では,その特徴と開発概要を説明する。

PDPスキャンドライバIC技術
本文:PDF  
澄田 仁志・平林 温夫・小林 英登

本稿では富士電機が開発したプラズマディスプレイパネル(PDP)スキャンドライバIC技術に関して,素子間分離技術と,SOI(Silicon On Insulator)基板上に形成した高耐圧横型デバイスについて説明する。素子間分離としてSOI方式誘電体分離技術が適していることを示し,また高耐圧横型デバイスとして電流駆動能力などの性能向上を実現した第二世代SOI-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)について概説する。あわせて,2002年に製品化した最新のPDPスキャンドライバICを紹介する。

PDPアドレスドライバIC技術
本文:PDF  
多田  元・川村 一裕・斉藤  俊

PDP(Plasma Display Panel)は大画面でありながら薄型を特徴とし,家庭用テレビ分野で急速に市場が拡大してきている。今後さらに普及するためにはPDPの低価格化が鍵となるが,そのためにはドライバICのさらなる低価格化が要求されている。その要求に応えるため,富士電機では従来のアドレスドライバICに対してチップコストを2/3に低減したプロセス・デバイス技術を開発し,第三世代アドレスドライバICとして製品適用した。本稿では,プロセス・デバイス技術の概要と,本技術を適用した第三世代アドレスドライバICの製品概要について述べる。

7μmセンサピッチ小型・高性能オートフォーカスモジュール
本文:PDF  
松並 和宏

高倍ズームコンパクトカメラでは小型化が進められており,高精度かつ小型なオートフォーカス(AF)システムが求められている。富士電機は新構造ICパッケージを採用し,センサピッチを7μmまで小さくして測距分解能を向上させた小型・高性能のAFモジュールを,3倍ズーム以上の銀塩カメラおよびディジタルスチルカメラ向けに開発した。その構成,特徴について紹介する。

0.6μmアナログC/DMOSデバイス・プロセス技術
本文:PDF  
北村 明夫

パワーIC分野に適用される,高耐圧・アナログC/DMOSデバイスと0.6μm CMOSデバイスとの混載化技術について説明する。従来のパワーIC技術に加え,これらを高機能にディジタル制御したいという要求も高まっており,本稿ではこれら要求に応え開発したデバイス・プロセス技術の概要について紹介する。

アナログIC設計技術
本文:PDF  
尾上  久・藤澤  旭・菅原 敬人

ICの高集積化・高機能化が進んでおり,製品サイクルも短くなっている。富士電機ではそれらに対応するため,設計資産の再利用や自動化システムの構築を行っている。本稿では,(1)アナログマクロセルライブラリ,(2)アナログ記述言語を使ったフルチップシミュレーション,モンテカルロシミュレーションなどのアナログ回路設計検証技術,(3)シンボリックレイアウト,アナログ自動配線などの自動マスクレイアウト設計技術を紹介する。

SMBus対応バッテリー残量計測ICの開発
本文:PDF  
野中 智己・赤羽 正志・岩本 基光

近年,どこでもインターネットや電子メールのアクセスができるノートパソコンの需要が伸びている。しかしノートパソコンはバッテリーで2〜3時間しか使用できないため正確なバッテリー残量の表示が強く求められている。富士電機ではバッテリーの特性を利用した残量補正技術を開発し,マイコンのプログラムとして組み込むことにより高精度な残量計測精度を実現したバッテリー残量計測ICを開発した。本稿ではそのICの概要を紹介する。

マスタスライス方式マルチチャネルDC-DCコンバータ制御IC
本文:PDF  
三添 公義

近年,急速に普及している携帯電話やディジタルスチルカメラなど携帯機器の商品サイクル短期化に伴い,それら携帯機器に搭載される電源ICの開発期間を短縮化する必要がある。今回,DC-DCコンバータ電源制御ICの開発に,メタル配線のみで機能を変更できるマスタスライスの手法を取り入れることによって,5週間という短い開発期間を実現した。最大4チャネルまでの昇圧電源や降圧電源などを構成できる電源制御ICの機能と構成,CAD利用による開発手法について解説する。

低オン抵抗トレンチ横型パワーMOSFET集積化技術
本文:PDF  
澤田 睦美・岩谷 将伸・藤島 直人

携帯電子機器に搭載するパワーICの出力段用として,トレンチ内部に素子を形成した低オン抵抗横型パワーMOSFETを,富士電機既存の0.6μmルールBi-C/DMOSプロセスに一体化した。集積されるトレンチ横型パワーMOSFET(TLPM)は,35V耐圧で面積抵抗率16mΩmm2であり,従来の同等耐圧のプレーナ横型パワーMOSFETに対し,50%の低オン抵抗化を実現した。本稿では,このプロセス・デバイス技術について概要を説明する。

半導体デバイスの微視解析技術
本文:PDF  
大井 明彦

半導体デバイスの微視的解析技術の最近の進展として,OBIC/FIBによるゲート不良解析技術とSCMによる二次元キャリヤのマッピング技術の方法と測定原理を概説する。マクロサイズのトレンチ型MOSデバイスのゲート不良の原因を明らかにするために,OBIC法で1μm精度での不良箇所の位置特定を行い,FIBで微視解析した結果を述べる。また,トレンチ横型パワーMOSFETの断面をSCMで観察し,デバイスの拡散構造を調べた。その結果,チャネル長が0.9μmであることが見いだされた。


*本誌に記載されている会社名および製品名は、それぞれの会社が所有する商標または登録商標である場合があります。著者に社外の人が含まれる場合、ウェブ掲載の許諾がとれたもののみ掲載しています。



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