2012ebook
25/65

24部門別概況電子デバイス部門紹介 パワー半導体を主力事業と位置づけ、半導体製造技術を応用したディスク媒体、感光体、太陽電池の各事業を展開しています。 特に、代表的なパワー半導体であるIGBTは、世界トップクラスのシェアを有し、電力変換を担うキーデバイスとして、インバータや工作機械、ロボットなどの産業分野、ハイブリッド車などの自動車電装分野、さらには風力・太陽光発電などの新エネルギー分野といった、幅広い分野で省エネ化や高効率化に貢献しています。 さらに次世代パワーデバイスであるSiCの開発により、パワーエレクトロニクス製品のさらなる省エネ化・小型化に貢献します。 2011年度の主な取り組み 半導体分野は、産業分野における省エネニーズへの対応として、業界最高レベルの低損失化により、パワーエレクトロニクス機器の小型・省エネ化を実現する「第6世代IGBT Vシリーズ」を開発、市場投入しました。また、地震・電力供給のリスク分散に向け、従来ディスク媒体の生産拠点であった山梨工場を半導体の前工程工場として整備を進めました。 ディスク媒体分野は、マレーシアへの営業・開発・生産拠点の集約による事業構造改革を推進し、単年度黒字化を果たしました。 パワー半導体市場は、世界的な省エネ需要の高まりを受け、IGBT(産業用・自動車用)は、今後3年間で年平均11%、自動車電装は同10%の市場伸長が見込まれています。 このようななか、当社はIGBTに注力し、電気自動車/ハイブリッド自動車向け、および風力・太陽光発電システム向けの開発を強化し、日本、中国、欧州市場を中心に売上高の拡大を図ります。また、小容量の民生用IGBTの市場投入や大容量品のラインアップ拡充を図るとともに、SiCの量産化に取り組みます。 2012年7月の(株)ルネサス北日本セミコンダクタ津軽工場の買収により、事業継承する自動車電装分野向け製品を取り込むことで、事業ポートフォリオの拡大を図ります。中国におけるIGBTの売上拡大に向け、中国・深圳の後工程工場の生産開始により、現地の要求仕様に対応する体制を構築します。また、海外部材調達の拡大を含め、徹底した原価低減活動を通じて、損益体質の強化を図ります。 感光体事業は、新興国を中心に需要が拡大するカラープリンタ、複合機向けに製品ラインアップを拡充し、事業の拡大を図ります。 ディスク媒体分野では、マレーシアで開発・生産・販売の一貫体制を活かし、高品質・低コストによる収益を重視した事業展開を進めます。 2012年度の方針・戦略 パワー半導体の事業体質の強化 •徹底した原価低減 •自動車向け半導体事業の拡大 •産業用IGBTの海外生産拡大(中国 深圳工場)20,00015,0005,00010,000201120122013201411,33912,37713,24614,2570パワー半導体の世界市場予測 情報電源 IGBT(産業用・自動車用) 自動車電装当社予測値(億円)(年)2011年度2012年度予想増減売上高1,122 1,276+167(うち海外)717779+62営業利益-2 40 +42(億円)年平均成長率8%年平均成長率自動車電装 10%IGBT 11%

元のページ 

10秒後に元のページに移動します

※このページを正しく表示するにはFlashPlayer9以上が必要です