富士電機レポート2014
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事業概況 —設備投資額・研究開発費設備投資額研究開発費コア技術の徹底強化と新商材開発の加速アジア拠点の体制整備、新製品開発と生産能力強化31232040314581441029010628301617400030020010020132012361315111611330202014(経営計画)(年度)研究開発費 (億円)n 発電・社会インフラ n 産業インフラ n パワエレ機器 n 電子デバイスn 食品流通 n 共通(注) 研究開発費をテーマに応じてセグメントに分類したもので、決算短信記載の数値とは異なります。2013年度は、売上伸長が期待されるパワエレ機器、産業インフラ分野に注力し、タイにアジア・欧米向け製品の供給拠点として新工場を建設し、インバータや無停電電源装置などの生産設備を導入しました。また、スマートメーターの量産化に向け自動化設備の導入を進めました。さらに、次世代パワー半導体SiCデバイスの6インチ生産ラインを新設しました。今後は、タイ新工場においてパワエレ機器の生産能力増強を図るとともに、産業インフラや食品流通などへ事業領域を拡大し、ガス絶縁開閉装置や自販機の生産設備を導入し、中核拠点としての体制を強化します。また、スマートメーターの受注拡大に向け、自動化設備への投資を加速させます。さらに、次世代パワー半導体開発設備の導入や研究開発棟の建設により、新製品創出に向けた開発力の強化を図ります。318269201622722117283113222691040003002001002013(年度)201232027279111923342014(経営計画)n 発電・社会インフラ n 産業インフラ n パワエレ機器 n 電子デバイスn 食品流通 n その他設備投資額 (億円)富士電機は、パワー半導体やパワーエレクトロニクスなどのコア技術を強化し、特徴あるコンポーネントやシステムの開発を進めるとともに、全社シナジー(熱、機械、制御技術)を発揮する新商材の開発に取り組んでいます。2013年度は、幅広い産業分野で省エネを実現する次世代パワー半導体SiCデバイスの開発を進め、このSiCパワー半導体を適用したパワーコンディショナなどのパワエレ機器の開発を加速させるため、研究開発費を電子デバイス、パワエレ機器に集中的に投下しました。今後は、グローバルな事業拡大に向け、研究機関や大学とのオープンイノベーションによる製品開発のスピードアップを図るとともに、現地のニーズに適した商品開発を引き続き推進していきます。具体的には、(独)※産業技術総合研究所とのSiCパワー半導体開発や中国における「浙江大学⊖富士電機協業センター」の設立などの取り組みを進めていきます。さらに国内3拠点(東京工場・松本工場・吹上工場)で研究開発棟の建設を進め、研究開発体制を強化していきます。※ 独立行政法人Fuji Electric Report 2014Page 17

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