富士電機レポート2016
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Fuji Electric Report 201619電子デバイス2015年度中期経営計画振り返り  2015年度の売上高は、パワー半導体の新エネルギー分野向けが海外を中心に伸長し、2012年度に対し70億円増の1,198億円となりました。営業利益は、2012年度に実施した事業構造改革に加え、固定費削減などにより、2012年度に対し111億円増の99億円と大幅に改善しました。 2015年度までの3年間は、パワー半導体の海外での事業強化に向け、海外デザインセンターの開設、海外生産の拡大(マレーシア、フィリピン、中国)により、現地設計、地産地消体制を推進しました。国内において、山梨製作所で8インチラインの稼働を開始し、ウエハーの大口径化を進めるとともに、2012年7月に買収した富士電機津軽セミコンダクタ(株)で生産を拡大しました。また、マレーシアのパワー半導体とディスク媒体の子会社を統合し、より強固な経営体質を確立しました。第7世代IGBTモジュールの発売 汎用インバータ、工作機械、新エネルギーなどのさまざまな分野で、さらなる省エネや高信頼性を可能にする第7世代IGBTモジュールを開発し、2015年8月に発売しました。 素子構造の最適化により、大幅な電力損失の低減を実現します。 今後、さらにラインアップを拡充し、売上拡大を目指します。売上高(国内外別) (億円) 60%63%海外比率680448営業利益 (億円) 第7世代IGBTモジュールTOPICSパワー半導体の新製品開発の加速 産業、鉄道、自動車向けSiCモジュールの開発強化と、第7世代IGBTモジュールの系列拡大を図ります。また、2019年以降の事業拡大に向けた自動車向けの機種開発を強化します。産業・新エネルギー分野を中心に売上拡大 自動化、省エネ化需要が高まる中、第7世代IGBTモジュールの投入により産業分野向けの売上拡大を図ります。また、海外デザインセンターの強化・活用により、欧州・中国での新エネルギー分野向けの売上拡大を図ります。原価低減活動の推進 マレーシア、フィリピン、中国での生産拡大により地産地消を加速します。設計や生産技術力の強化を図り、原価低減を推進します。 2018年度中期経営計画  産業・新エネルギー分野向けパワー半導体を中心に売上拡大を図るとともに、SiCモジュールの開発ならびに自動車向け機種開発を強化します。売上高(国内外別) (億円) 営業利益 (億円) 757444764436(年度)(年度)(年度)(年度)63%64%65%海外比率851 海外 +94757 海外 +77465 国内 +21 441 国内 –7 15–18 増減額+11415–18 増減額0※ 2015年度実績は、2016年度の事業組替を反映し表示しています。増減額+70増減額+1112012実績2015実績2012実績2015実績2015実績2016経営計画2018中期経営計画2015実績2016経営計画2018中期経営計画1,1281,198–12991,2021,2001,316987598

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