ニュースリリース
『新3レベルIGBTモジュール』シリーズの発売について   ~3レベルプラットフォームをワンパッケージにした世界初のモジュール~

2011年2月17日
富士電機ホールディングス株式会社

 富士電機ホールディングス株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)傘下の中核事業会社である富士電機システムズ株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:白倉三德)は、電力損失を大幅に低減させたIGBTモジュール、『新3レベルIGBTモジュール』を開発し、サンプル展開を開始致しました。

 当社は、昨年2月に「新3レベル変換回路」のプラットホーム(注)を開発しておりましたが、この度、このプラットホームを搭載した専用パワーモジュールを開発しましたので、量産に先駆け、『新3レベルIGBTモジュール』単体としてのサンプル展開を開始します。
 『新3レベルIGBTモジュール』は、出力電圧ステップ数を3レベル化することにより、従来の2レベルと比較して、より正弦波に近い波形を作り出すことで、スイッチング損失を低減します(注)。
 加えて、当社独自技術であるRB-IGBT(逆阻止IGBT)(注)を搭載することで、逆方向電流をブロックするためのダイオードが不要となるため、変換回路の効率をより高めることができました。
 また、3レベル回路のワンパッケージ化を実現したことで、効率向上に加え、小型化を求められていた太陽光発電用パワーコンディショナー、無停電電源装置(UPS)などの電源装置分野においては、装置の小型化に大きく寄与します。
 『新3レベルIGBTモジュール』は、3レベルプラットホームを構成するIGBT、FWD、RB-IGBTをワンパッケージに搭載した世界初のモジュールになります。

(注)

下図を参照ください。

新3レベルIGBTモジュール

1.特長

2.概略仕様

3.主な用途

インバーター、無停電電源装置(UPS)、太陽光発電用パワーコンディショナーなどの電力変換装置

【お客様問合せ先】

富士電機システムズ株式会社
半導体事業本部 半導体統括部 パワーモジュール企画部
tel:0263-26-2513

以上