SiC素子
次世代パワー半導体として期待されているSiC MOSFETを開発しています。当グループではゲート構造をトレンチ型にすることで特性改善を目指し、例えばオン抵抗を従来のIGBTの半分以下にすることを目標としています。 |
次世代パワー半導体として期待されているSiC MOSFETを開発しています。当グループではゲート構造をトレンチ型にすることで特性改善を目指し、例えばオン抵抗を従来のIGBTの半分以下にすることを目標としています。 |