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高耐圧絶縁技術-絶縁構造の基礎デザイン

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  • 世界初13kV耐圧SiCパッケージ開発に貢献
  • 3次元電界計算による絶縁弱点の可視化

高い電圧を低損失で制御するため、電気絶縁技術を高度化する技術を開発しています。

例えば、ラミネートブスバー(半導体パッケージ複数台とコンデンサ類を最短かつ低インダクタンスで接続するための絶縁被覆された導体部品)を実用化する上での課題を解決してます。

この技術を、世界初の13kV耐圧SiCパッケージに適用すると、6.6kVフルブリッジインバータの小型化につながります。

3次元電界計算による弱点の可視化(フィードフォワード)

実験的検証による限界性能の把握

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キーワード

  • 絶縁技術
  • パワー半導体パッケージ
  • 耐環境性
  • 沿面放電
  • 鉛フリーはんだ 富士電機グループの環境問題への取り組み
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