研究開発
研究開発テーマ
-
研究開発方針・体制
-
研究開発の取り組み
-
富士電機技報
-
知財戦略
SiC MOSFET搭載高電力密度パワーユニット
#先端技術研究所 #パワエレ インダストリー #半導体 #共通基盤・先端技術 #省エネ
-
絶縁、接合、熱、冷却、パワエレ、SiC パワーデバイス、パッケージなどの先端技術を複合
-
電力密度81kW/Lを達成
-
37kW出力で効率99.5%
-
定格37 kWの強制空冷方式でW99×D64×H72(mm)、出力電力密度として81kW/Lを実現しました。独自のSiC MOSFETモジュール搭載による低損失化と、多層プリント基板の主回路構成による小型化を図りました。試作したユニットの評価において定格出力時に効率99.5%を達成しました。今後、これらの高電力密度化の技術を応用し、幅広い分野へ展開します。