富士電機株式会社

省エネルギー半導体

あらゆるシーンで高い
エネルギー利用効率を
実現する
パワー半導体を提供します。

産業機械、社会インフラ、再生可能エネルギー、家電製品、情報機器など
幅広い電力容量帯の用途に、低損失で高効率の電力変換を実現する
パワー半導体製品を幅広く提供してCO2削減に貢献しています。

半導体製品の図

直接水冷型パワーモジュール

電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)のモータ駆動用インバータ向けに、業界トップクラス容量(定格750V・800A)のパワーモジュールを開発。富士電機独自技術のRC-IGBT※と放熱性を高めた密閉型アルミニウム冷却器を採用することにより、高信頼性・高効率・小型軽量化を実現しました。

※ Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor (逆導通 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)

直接水冷型車載
IGBTモジュール

SiCパワー半導体モジュール

従来のSi半導体に比べて低損失・高耐圧・高温動作可能な世界最高レベルのSiCチップを搭載したパワー半導体モジュール(定格3300V・1800A)を開発。鉄道車両の主変換装置など大容量帯の用途において装置の小型軽量化と省エネに貢献しています。

※架線からの単相交流を三相交流に変換し、モータを駆動し、新幹線を走行させるシステム

SiCパワー半導体モジュール
CO2削減量30%削減※ ※当社Si半導体モジュールとの比較
電力損失にかかわるCO2排出量

第7世代「Xシリーズ」
IGBTモジュール

パワー半導体モジュールのさらなる小型化、低損失化、高信頼性化を追求したXシリーズIGBTモジュールにおいて、駆動機能と保護機能を内蔵したXシリーズIPM(定格600V・20~450A、1200V・10~300A)を製品化しました。業界初となる温度ワーニング機能の搭載、従来の保護機能の改善などにより電力変換装置のさらなる性能・信頼性向上に貢献しています。

第7世代IGBTモジュール
CO2削減量10%削減※ ※当社従来比
電力損失にかかわるCO2排出量

Small IPM

家電製品や小容量の産業用モータドライブ向けにSmall IPM(定格600V・10~30A)を系列化しています。低損失IGBTと高速FWDで構成される三相インバータブリッジ回路と制御・保護機能を内蔵しインバータ機器の小型化・省エネに貢献しています。

Small IPM
CO2削減量10%削減※ ※当社従来比
電力損失にかかわるCO2排出量
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