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ニュースリリース

2010年9月29日
富士電機ホールディングス株式会社

次世代パワー半導体SiCモジュールの開発について

  富士電機ホールディングス株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、次世代パワー半導体デバイスとして期待されているSiC(炭化ケイ素)を用いるパワー半導体パッケージを開発致しました。従来のパッケージと比較して、約1/4の体積を実現し、弊社独自のワイヤボンディングレス配線技術、低熱抵抗技術、高耐熱技術などを採用することで、高効率に加えて高信頼性も実現したパッケージとなっています。

   パワー半導体は、エアコン、冷蔵庫などの家電製品、ハイブリッド自動車や電気自動車(EV)、電車などのモーター制御、さらにはロボットやインバーターなどの産業用機器の制御用から太陽光発電システムなど、多くの分野で活躍しています。
  現在、これらのパワー半導体にはシリコン(Si)が用いられておりますが、省エネルギー機器、スマートグリッド分野における大容量化への期待や低炭素社会の実現に向けて、Siと比較して高効率かつ大容量半導体の開発が重要となっています。

  今回弊社は、このパッケージを用いてSiC−SBDデバイスを複数並列接続した耐圧1200V、電流400A級のSiC−ダイオードパワーモジュールを開発しました。本モジュールはSiCデバイスの低損失特長を生かし、電力利用で低損失が期待できます。
  今後、開発した独自の実装技術を適用することでSiCデバイスの特長である高速スイッチング、高温動作、低損失を更に活かせる中大容量向けに、全てにSiCを搭載したモジュール(SiC-MOSFETとSiC-SBD搭載)の開発を進め、太陽光発電システム、ハイブリッド自動車など様々な機種への技術展開を進めていきます。
※: Schottoky Barrier Diodeの略、金属と半導体を接触させることでショットキー接合が形成され、整流性が得られることを利用したダイオード

1.特長
SiCモジュール外観
SiCモジュール外観
(1) 小型(体積:Si従来品比1/4)、低損失 、スイッチング損失の低減
(2) 弊社独自のワイヤボンディングレス配線、低熱抵抗絶縁基板、高耐熱封止樹脂などにより、大幅な小型、信頼性向上を実現。
(3) 複数のSiCチップを分散型に実装することで、大幅な放熱性向上を実現。

2.主な適用分野
太陽光発電システム、ハイブリッド自動車や電気自動車、車両用制御機器、インバーター、UPSなどパワーエレクトロニクス応用製品
3.サンプル展開時期
SBD:2010年度中 MOSFET:2011年度中





以  上




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