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ニュースリリース

2010年12月28日
富士電機ホールディングス株式会社

並列接続に適した大容量IGBTモジュール
「新大容量2in1IGBTモジュール」シリーズの発売について

  富士電機ホールディングス株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)傘下の中核事業会社である富士電機システムズ株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:白倉三コ)は、並列接続に適した大容量、低損失のIGBTモジュール、「新大容量 2in1 IGBTモジュール」を2011年1月より発売致します。

「新大容量2in1IGBTモジュール」シリーズ    太陽光発電や風力発電などの自然エネルギーの普及に伴い、その設備も大規模化が進んでおり、それに合わせて、電力の変換制御に利用するパワー半導体についても、大容量化の要求が高まっております。
  「新大容量 2in1 IGBTモジュール」は、従来の「2in1 IGBTモジュール」と比較して、低インダクタンス・並列時電流のバランスが最適な並列接続を実現し、より大容量の電力変換に適したモジュールとなっています。

1.特長
(1) 低インダクタンス、かつ並列時電流バランスの最適化による大容量への対応
(2) 第6世代V-IGBTチップ採用による低損失の実現
(3) 熱サイクルに強い超音波接合技術を採用し、高信頼性を実現
(4) RoHS規格に対応

2.概略仕様
製品型式
パッケージサイズ(mm)
定格電圧(V)
定格電流(A)
2MBI600VXA-120E-50
172 x 89 x 38
1,200
600
2MBI900VXA-120P-50
900
2MBI1400VXB-120P-50
250 x 89 x 38
1,400
2MBI650VXA-170E-50
172 x 89 x 38
1,700
650
2MBI1000VXB-170E-50
250 x 89 x 38
1,000

3.主な用途
風力発電及び太陽光発電用電力変換装置、高圧インバータ、大容量インバータ

4.発売時期
2011年1月

【お客様問合せ先】
富士電機システムズ株式会社
  半導体事業本部 半導体統括部 パワーモジュール企画部
  TEL:(0263)26-2513




以  上




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