富士電機
  • Global
  • 総合サイトマップ
  • 関係会社情報
  • 国内販売ネットワーク
  • 国内拠点

ホーム > 富士電機について > ニュースリリース > 『Super J-MOSシリーズ』の発売について

ニュースリリース

2011年12月22日
富士電機株式会社

『Super J-MOSシリーズ』の発売について

  富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、業界最高レベルの低損失を実現したMOSFET『Super J-MOSシリーズ』を発売しますのでお知らせ致します。

 

1.発売のねらい

  地球環境への関心が高まる中、グリーン化が進むIT分野や新エネルギー分野などでは電力変換の効率化を実現するパワー半導体に注目が集まっています。
  その中でも、MOSFET1は、電力変換に使用される主力デバイスとして、これまで以上の損失改善が求められています。
   このたび、当社が発売する『Super J-MOSシリーズ』は、新たに開発した低オン抵抗特性を持つSJ構造2を採用し、大幅な損失低減を可能としました。
  これにより、機器の電力変換効率を向上させ、消費電力を減らすことで、低炭素社会の実現に貢献します。

2.製品の特長
  • オン抵抗70%3減を実現し、業界最高レベルの低損失を達成
  • 最新のスイッチング損失低減技術と組み合わせ、素子のトータル損失14%低減4
3.概略仕様(代表機種)
定格電圧(V) 定格電流(A) オン抵抗(Ω) パッケージ 発売時期
600V 20A 0.19 TO-220F,TO-220 即日
30A 0.125 TO-3P,TO-247 2012年4月
47A 0.07 TO-3P,TO-247 2012年4月
68A 0.04 TO-247 2012年4月
4.主な用途
  • サーバー、無停電電源装置、放送機器などの情報通信機器
  • 太陽光パワーコンディショナーなど新エネルギー分野向け電力変換装置など

1 MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

2 SJ構造:Superjunction構造
  MOSFETのドリフト層をp型領域とn型領域とが交互に並んだ構造に置き換えたもので、n型領域の不純物濃度を高くすることができ、抵抗値を劇的に低減できるのが特長です。
  従来のプレーナー構造のMOSFETでは、高抵抗のn型層に電気的に絶縁された領域(空乏層)を伸ばすことによって耐圧を確保していたため、オン抵抗を一定値以下には出来ませんでした。
  SJ構造は、n型領域にp型領域を形成することで、縦方向だけでなく横方向にも空乏層を伸ばすことが出来るため、n型層の抵抗を下げても耐圧が確保されます。これにより、従来のプレーナー構造の理論限界を超えた低オン抵抗を実現しています。

3、4 当社従来製品との比較です

SJ構造参考図 Super J-MOS製品写真
SJ構造参考図 Super J-MOS製品写真

 

【お客様問合せ先】

富士電機株式会社 営業本部 パワエレ機器統括本部
第3統括部 営業第1部
tel:03-5435-7256




以上




ページトップへ戻る
Copyright©Fuji Electric Co., Ltd. All Rights Reserved.