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ニュースリリース

2015年6月29日
富士電機株式会社

SiCハイブリッドモジュールの系列拡大およびサンプル出荷開始について

  富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、次世代パワー半導体デバイスSiC(炭化ケイ素)を搭載したパワー半導体ハイブリッドモジュールの製品系列を拡大し、サンプル出荷を開始しますのでお知らせいたします。

1.狙い
  SiCデバイスは、Si(シリコン)に比べて高耐圧化が容易であり、スイッチング損失が低いことから、装置の消費電力低減を実現するデバイスとして活用が期待されており、世界市場は今後5年間で約35%の年平均成長率※1が見込まれています。
  今回、サンプル出荷を開始するのは、SiC素子を使用したSBD(ショットキーバリアダイオード)と、Si素子を使用したIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)で構成されるハイブリッドモジュールです。600Vから1200V、1700Vまでの幅広い系列を用意し、様々な産業用機器の省エネや小型化に貢献します。

※1 出典: IHS 2014。2014年から5年間の年平均成長率。
  ・本モジュールに適用したSiC デバイスは、当社が2012 年度より参画している「TPEC(つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション)」における、国立研究開発法人産業技術総合研究所との共同研究成果を活用しています。

2 .特長

(1) 電力変換時の損失を低減し、装置の省エネに貢献
従来のSiデバイスに比べて大幅な損失低減が可能となり、電力変換装置の大幅な省エネに貢献します。当社製インバータ※2においては、デバイストータル損失を従来機種比で約30%低減しています。
※2 2014年11月26日発表「SiCハイブリッドモジュールを適用した大容量インバータの発売について
(2) 高出力化・高周波動作により、設備の省スペース化が可能
従来のSiデバイスに比べ、最大1.5倍の高出力化(1700V品)を実現。当社製インバータ※2において単機容量を315kWから450kWへ拡大するなど、装置サイズを変えずに容量拡大が可能となり、装置の設置台数を削減できます。
また、従来と同損失で最大2倍の高周波動作(1700V品)により、フィルタなど周辺部品の小型化も可能。これらにより、設備の省スペース化に貢献します。


(3) 幅広いラインアップで様々なニーズに対応
600V、1200V、1700Vと小容量から大容量までの系列を充実。
インバータ、サーボ、無停電電源装置、パワーコンディショナなど、産業用機器に幅広く対応します。

 

3.製品仕様と出荷・発売時期

定格電圧定格電流回路構成パッケージ
サイズ(mm)
出荷・発売時期
600V 50A/75A/100A PIM※3 62 X 122 発売中
1200V 35/50A
100A 6-pack 2015年6月 サンプル出荷開始
300A 2-pack 62 X 108 2016年1月
サンプル出荷開始
1400A 89 X 250
1700V 400A 80 X 110 発売中
1000A/1400A 89 X 250 2016年1月
サンプル出荷開始
1200A 140 X 130
※3 PIM(Power Integrated Module):三相整流ブリッジ,ブレーキ,三相インバータ回路を1パッケージに搭載した回路。

4 .売上目標
  2018年度 30億円

5 .製品に関するお問合せ先
  富士電機株式会社 営業本部 半導体統括部 営業第一部
  TEL:03-5435-7152




以上




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