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ニュースリリース

2015年12月16日
富士電機株式会社

高速ディスクリートIGBT「High-Speed Wシリーズ」の発売について

  富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、パワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT「High-Speed Wシリーズ」を発売しますのでお知らせいたします。

  ※ディスクリート:トランジスタやダイオードといった単機能半導体素子
    IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)

1.背景
  パワー半導体は、インバータや無停電電源装置、パワーコンディショナなどの産業機器や、電気・ ハイブリッド自動車、通信機器等に搭載され、省エネや電力の安定供給を実現するキーデバイスです。
  ディスクリートIGBTが使われる産業機器や通信機器の市場規模は、2016年に約500億円、以降 年率5%で成長することが予測されています(出典:IMS)。
  近年、世界的なエネルギー需要の拡大を背景に、こうした産業・通信機器に対する省エネへの要求が高まっています。また、機器自体の小型・省スペース化が強く求められています。
  今般、こうした市場ニーズに応える高速ディスクリートIGBT製品の販売を開始します。

2.製品の特長
(1)電力損失を低減し省エネに貢献

  パワー半導体は、スイッチング(電気のオン/オフの切り換え)を細かく繰り返すことで、直流から交流への変換や、電圧の制御などを行います。今回の製品は、IGBTチップの厚みを薄くし微細化することで、従来製品(High-Speed Vシリーズ)に比べて、スイッチング動作時の電力損失(ターンオフ損失)を約40%低減しました。これにより、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。

(2)機器の小型化を実現
  スイッチング動作時の損失を低減(発熱抑制)することで、従来製品(20kHz程度)に比べて高いスイッチング周波数(20kHz〜100kHz)への対応を実現しました。 これにより、搭載機器の周辺部品(コイルやトランス)を小型化でき、機器本体の 小型化とトータルコスト低減に貢献します。

※1秒間当たりのオン/オフの切り替え回数

高速ディスクリートIGBT


3.製品仕様と発売時期

定格電圧 定格電流 発売時期
650V 40A、50A、60A 2015年12月
1,200V 25A、40A 2015年9月

4.製品に関するお問い合わせ先
  富士電機株式会社 営業本部 半導体統括部 営業第三部
  03-5435-7152

【参考】ラインアップと主な仕様

定格電圧 定格電流 型式名 内蔵ダイオード パッケージタイプ
650V 40A FGW40N65W TO-247
FGW40N65WD
50A FGW50N65W
FGW50N65WD
60A FGW60N65W
FGW60N65WD
1,200V 25A FGW25N120W
FGW25N120WD
40A FGW40N120W
FGW40N120WD



以上




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