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オールSiCモジュール向け1.2kV-SiCトレンチMOSFET

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富士電機はSiでは実現できない耐圧、低抵抗、高速動作の特徴を持つMOSFETとSBDを開発しています。

Siよりも広いバンドギャップを持つSiCを使い、セル密度を高めたトレンチゲート構造を適用することで、高性能デバイスを創出することができます。

また、デバイス開発と同時に、従来とは大きく異なる技術で開発したSiC用モジュールを実用化しています。このモジュールには、小型、高放熱特性、ピン構造採用による高電流密度化などの特徴があります。

6インチウェーハ上に形成されたトレンチMOSFET

オールSiCモジュール

従来構造とトレンチゲート構造

SiCの特性を引き出す独自のモジュール構造

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キーワード

  • SiCパワーデバイス
  • All-SiCモジュール
  • MOSFET
  • SBD
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