製品情報
パワーモジュール
第7 世代「X シリーズ」は、本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みをさらに薄くし微細化することで、素子構造を最適化。
これにより、従来製品（当社第6 世代「Vシリーズ」）に比べてインバータ動作時の電力損失を低減しました。搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。
本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来製品（当社第6世代Vシリーズ）に比べてインバータ動作時の電力損失を低減
インバータロスを10%、チップ温度を11℃低減 （第6世代Vシリーズ75A, fc=8kHz 比較）
新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向上。電力損失低減と併せて発熱を抑制することで、従来製品に比べて約36％の小型化を達成。
高信頼性・高耐熱パッケージおよびチップの最適化により175℃連続動作を実現。
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従来製品より更に35%の出力アップも可能
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ΔTvj パワーサイクル耐量向上（従来比2倍）
PIM: Power Integrated Modules, 複数回路を一つのモジュール内に収めた製品
RC-IGBT: Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor（逆導通 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
EconoPIM™, PrimePACK™はInfineon Technologies社の登録商標です
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高性能チップ適用
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低損失のXシリーズ/VシリーズIGBT
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低損失のSiC-SBD
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従来のSi-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
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最新世代トレンチゲートMOSFET適用による大幅な低損失化を実現
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従来のSi-IGBTモジュールと互換パッケージ適用
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パッケージの低インダクタンス化
