富士電機
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IGBT

富士電機のIGBT モジュールはモータの可変速駆動装置や無停電電源装置等の電力変換器のスイッチング素子として開発されてきました。IGBT はパワーMOSFET の高速スイッチング性能とバイポーラトランジスタの高電圧・大電流処理能力とを合わせ持った半導体素子です。

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IGBTの製品情報はこちらからご覧いただけます。

保守移行機種を含む 廃型機種を含む

IGBTモジュール Xシリーズの特長

電力損失を低減し省エネに貢献

当社第7 世代「X シリーズ」は、本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みをさらに薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来製品(当社第6 世代「Vシリーズ」)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減しました。搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。

機器の小型化を実現

新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向上。上記(電力損失低減)と併せて発熱を抑制することで、従来製品に比べ約36%の小型化※ 1 を実現しました。さらに連続動作時の最大保証チップ温度を従来の150℃から175℃にすることで、搭載機器のサイズを維持しながら出力電流を最大35%※ 2 増やすことが可能となります。これらにより機器の小型化およびトータルコスト削減に寄与します。

  • ※ 1:1200V 75A PIM 製品における実装面積比
  • ※ 2:当社試算値

機器の信頼性向上に寄与

モジュールの構造や使用部材を見直し、高温動作時の安定性や耐久性を高めました。搭載機器の信頼性向上に寄与します。

製品一覧

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