『Super J-MOSシリーズ』の発売について

ニュースリリース
『Super J-MOSシリーズ』の発売について

2011年12月22日
富士電機株式会社

　富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、業界最高レベルの低損失を実現したMOSFET『Super J-MOSシリーズ』を発売しますのでお知らせ致します。

1．発売のねらい

　地球環境への関心が高まる中、グリーン化が進むIT分野や新エネルギー分野などでは電力変換の効率化を実現するパワー半導体に注目が集まっています。
　その中でも、MOSFET（注1)は、電力変換に使用される主力デバイスとして、これまで以上の損失改善が求められています。
　このたび、当社が発売する『Super J-MOSシリーズ』は、新たに開発した低オン抵抗特性を持つSJ構造（注2）を採用し、大幅な損失低減を可能としました。
　これにより、機器の電力変換効率を向上させ、消費電力を減らすことで、低炭素社会の実現に貢献します。

2．製品の特長

オン抵抗70％(注3)減を実現し、業界最高レベルの低損失を達成
最新のスイッチング損失低減技術と組み合わせ、素子のトータル損失14％低減(注4)

3．概略仕様（代表機種）

定格電圧（V）	定格電流（A）	オン抵抗（Ω）	パッケージ	発売時期
600V	20A	0.19	TO-220F,TO-220	即日
	30A	0.125	TO-3P,TO-247	2012年4月
	47A	0.07	TO-3P,TO-247	2012年4月
	68A	0.04	TO-247	2012年4月

4．主な用途

サーバー、無停電電源装置、放送機器などの情報通信機器
太陽光パワーコンディショナーなど新エネルギー分野向け電力変換装置など

(注1): MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

(注2): SJ構造：Superjunction構造

: 　MOSFETのドリフト層をp型領域とn型領域とが交互に並んだ構造に置き換えたもので、n型領域の不純物濃度を高くすることができ、抵抗値を劇的に低減できるのが特長です。
　従来のプレーナー構造のMOSFETでは、高抵抗のn型層に電気的に絶縁された領域（空乏層）を伸ばすことによって耐圧を確保していたため、オン抵抗を一定値以下には出来ませんでした。
　SJ構造は、n型領域にp型領域を形成することで、縦方向だけでなく横方向にも空乏層を伸ばすことが出来るため、ｎ型層の抵抗を下げても耐圧が確保されます。これにより、従来のプレーナー構造の理論限界を超えた低オン抵抗を実現しています。