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ニュースリリース

2014年4月24日
富士電機株式会社

開発強化に向けた新棟の建設

富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤 通宏)は、開発の強化に向けて以下の新棟建設を決定しましたので、お知らせいたします。


1.建設の狙い
 当社は、経営方針において『電気、熱エネルギー技術の革新による、安全・安心で持続可能な社会の実現への貢献』を掲げており、エネルギー関連事業の拡大に向けて、コア技術であるパワー半導体、パワーエレクトロニクス、熱技術を駆使した競争力のある商材の開発に取り組んでおります。
 今回、当社が目指す売上高1兆円の実現に向け、これら開発の加速推進を図ることを狙いに、国内の主要3拠点に開発棟を建設します。 

     ・投資総額     約130億円(2013〜2015年度の合計額)
  ・建設地   東京工場、松本工場、吹上事業所


2.建設の概要
 《全社 研究開発棟(東京工場)》
 当社技術開発の主要拠点である東京工場に、グローバルマザー開発拠点となる研究開発棟を建設します。 

     (1) 所在地     東京都日野市富士町1番地(富士電機 東京工場内)
  (2) 構 造   地上6階建
  (3) 建築面積   約3,100u
  (4) 投資額   約65億円
  (5) 完 成   2015年10月(予定)

 次世代パワーデバイスであるSiCなどのパワー半導体を適用したパワエレ機器開発に注力し、同分野での世界トップレベルを狙うとともに、これらパワエレ機器と計測・制御技術を融合した電気・熱エネルギーソリューション開発を強化します。さらに、各事業で必要となる製品プラットフォーム技術を開発・展開します。
 また、当社の事業、コア/先進技術、顧客課題解決に向けた製品・システムなどを展示紹介し、社内外との交流スペースを設置することにより、当社ブランドイメージの向上・顧客ニーズ把握の促進を図るとともに、イノベーションの創出を促す環境を構築します。


 《半導体 技術開発棟(松本工場)》
 
パワー半導体事業の主要拠点である松本工場に技術開発センターを建設し、工場内に分散配置している技術・開発部門を集約します。

     (1) 所在地     長野県松本市筑摩4-18-1 (富士電機 松本工場内)
  (2) 構 造   地上6階建
  (3) 建築面積   約2,700u
  (4) 投資額   約48億円
  (5) 完 成   2015年3月(予定)

 本工場は、パワー半導体の研究開発・生産技術で世界各拠点をリードするグローバルマザー拠点です。
 技術開発棟の建設により機能・人材を集約し、SiCを含めた次世代パワー半導体の開発、高性能IGBT・車載関連製品など高付加価値の製品開発、および革新的な生産技術開発を加速推進します。さらに最新技術・製品の展示を行うなど、顧客へのプレゼンス向上に資する環境を設けます。


 《器具 開発棟(吹上事業所)》
 
パワエレ機器において配電・制御機器などを担う器具事業の主要拠点である吹上事業所に開発棟を建設し、事業所内に分散配置している評価試験機能を集約します。

     (1) 所在地     埼玉県鴻巣市南1-5-45(富士電機機器制御 吹上事業所内)
  (2) 構 造   平屋建
  (3) 建築面積   約3,600u
  (4) 投資額   約18億円
  (5) 完 成   2014年11月(予定)

 新エネルギー市場向けおよびアジア・中国市場向け新製品・新技術を創出するグローバルマザー拠点として、設備自動化・設備能力増強により、試験評価の効率を高め、開発期間の短縮を図ります。



《参考:富士電機のコア技術と注力分野》

        《参考:富士電機のコア技術と注力分野》     




以上




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