ニュースリリース
業界トップクラスの低損失を実現 ディスクリートIGBT「XSシリーズ」のラインアップ拡充について

2021年3月15日
富士電機株式会社

 富士電機株式会社(代表取締役社長:北澤 通宏、本社:東京都品川区)は、ディスクリートIGBT(注1)「XSシリーズ」において、業界トップクラスの低損失を実現した1,200V定格品をラインアップに追加しましたので、お知らせいたします。

(注1)

Insulated Gate Bipolar Transistor

1. 背景

世界では、脱炭素社会の実現に向けて大きく舵がきられるなか、社会・産業インフラ設備の更なる省エネ化が期待されています。
デジタル変革により投資が拡大するデータセンターの安定稼働に欠かせない無停電電源装置(UPS)、再生可能エネルギーの発電設備に欠かせないパワーコンディショナ(PCS)、電動車の充電インフラを支えるEV用充電器などのパワーエレクトロニクス機器(注2)には、電力変換・制御のキーデバイスとしてパワー半導体が搭載されています。
パワー半導体は、回路内でスイッチング(電気のオン・オフの切り替え)を細かく繰り返すことで、電圧の制御や直流と交流を切り替えるなどの役割を担います。ディスクリートIGBT「XSシリーズ」は、スイッチング時に生じる電力損失(スイッチング損失)と電気が回路内を流れる際に生じる電力損失(定常損失)の双方を低減し、搭載される製品の省電力化に貢献します。

ディスクリートIGBT「XSシリーズ」

 今回、数10kVAクラスのUPSなど幅広い容量帯の機器に対応すべく、既存の650V定格品に加えて、新たに1,200V定格品の販売を開始しました。ラインアップの拡充により、お客様の機器の設計に貢献します。
 本製品が搭載される産業機器の市場規模は現在の600億円から2023年に700億円に伸長する(注3)と見られており、需要が旺盛な中国、台湾など、グローバルに展開していきます。
(注2) 電力の変換・制御などを行う機器
(注3) 当社推定

2. 「XSシリーズ」の主な適用先・役割

3. 製品の特長

定常損失とスイッチング損失を同時に低減

 本製品は、業界最高クラスの低損失性能を持つ最新の第7世代IGBT素子を搭載しています。チップ構造の最適化とSi(シリコン)基板の薄化により、定常損失とスイッチング損失のトレードオフ特性を改善しました。当社従来品に比べて定常損失を約20%低減するとともに、スイッチング時の電力損失を約6%低減。これにより業界トップクラスの低損失を実現し、搭載機器の省エネと電力コストの削減に貢献します。

4. 主な仕様

5. 製品に関するお問合せ先

富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 営業統括部 営業第一部
☎03-5435-7152

(注)

本リリースに掲載している情報(製品仕様や問い合わせ先、価格等)は発表日時点のものであり、予告なく変更する場合もございます。
あらかじめご了承ください。