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ニュースリリース
データセンターや通信基地局の省電力化に貢献する第2世代ディスクリートSiC-SBDシリーズの発売について

2021年10月26日
富士電機株式会社

　富士電機株式会社（代表取締役社長：北澤 通宏、本社：東京都品川区）は、データセンターや通信基地局などの省電力化に貢献するパワー半導体「第2世代ディスクリートSiC-SBD(注）シリーズ」を発売しましたので、お知らせいたします。

（注）

Schottky Barrier Diode

1. 背景

DX（デジタルトランスフォーメーション）の導入やリモートワークの増加、インターネットサービスの利用拡大などにより、ネットワーク通信量が増加し、データセンターや通信基地局では設備投資が加速しています。これに伴い、電源機器の需要も増加しており、電源機器の市場規模は現在の約3,000億円から2028年度に約4,500億円に伸長する（注）と見られています。
データセンターや通信基地局では、設備の稼働に多くの直流電力を必要とするため、電源機器には、電力会社などから受電した交流の電力を高効率で直流に変換（整流）するパワー半導体（ダイオード）が搭載されています。

2世代ディスクリートSiC-SBD(左からTO-220-2、TO-220F-2、TO-247-2)
第2世代ディスクリートSiC-SBD
(左からTO-220-2、TO-220F-2、TO-247-2)

　パワー半導体は、通電時に電力損失（定常損失）が生じます。今回、データセンターや通信基地局などの電源機器向けに、電子回路内の定常損失を低減することで省電力化に貢献する「第2世代ディスクリートSiC-SBDシリーズ」を開発し、発売しました。

　当社は、本製品をグローバルに展開し、機器の省電力化を通じて、脱炭素社会の実現に貢献します。

（注）IHS社の資料をもとに、当社推定

2. 製品の特長

基板の厚みを1/3にするなどし、低損失化を実現

　パワー半導体の電力損失を低減させる方法の一つに、素子である基板を薄く加工し、電気が流れる距離を短くすることがあります。本製品は、搭載するSiC（シリコンカーバイド）基板を当社の従来品である第1世代SiC-SBDシリーズに比べて約1/3に薄化するとともに、チップ構造を変更することで定常損失を16%削減（注）しました。基板の薄化には、当社独自の加工技術を適用し、業界最高レベルの薄さを実現。さらに、雷などによる大電流への耐性も高めました。これらにより搭載機器の省エネと信頼性向上に貢献します。

（注）

定格電圧650V品

3. 主な仕様

型式名 定格電圧（V） 定格電流（A） 順電圧（V） サージ順電流（A） パッケージ
FDC2PT06S65（注） 650 6 1.3 54 TO-220-2
FDC2PT08S65 650 8 1.3 68 TO-220-2
FDC2PT10S65 650 10 1.3 82 TO-220-2
FDC2AT06S65 650 6 1.3 54 TO-220F-2
FDC2AT08S65 650 8 1.3 68 TO-220F-2
FDC2AT10S65 650 10 1.3 82 TO-220F-2
FDC2WT20S120 1,200 20 1.57 190 TO-247-2
FDC2WT40S120（注） 1,200 40 1.57 305 TO-247-2

（注）

現在開発中（2022年1月発売予定）

4. 製品に関するお問合せ先

富士電機株式会社 半導体事業本部 営業統括部 営業第一部
☎03-5435-7152

（注）

本リリースに掲載している情報（製品仕様や問い合わせ先、価格等）は発表日時点のものであり、予告なく変更する場合もございます。
あらかじめご了承ください。