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オールSiCモジュール向け1.2kV-SiCトレンチMOSFET

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富士電機はSiでは実現できない高耐圧、低抵抗、高速動作の特徴を持つMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)やSBD(Schottky Barrier Diode)を開発しています。

MOSFETのトレンチゲート構造は、独自技術により信頼性を損ねることなく、 電流のON/OFFを行う"ゲート"の低抵抗化を実現しました、。電気抵抗はしきい値電圧5Vで世界最高レベルの3.5mΩcm2を達成し、従来のプレーナーゲート構造に比べて50%以上電気抵抗を低くしました(下図参照)。

また、このデバイスは、従来とは大きく異なるピン構造採用による高電流密度化技術を採用しい開発した小型で高放熱特性を持つSiC用モジュールに搭載して実用化しています。

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キーワード

  • SiCパワーデバイス
  • All-SiCモジュール
  • MOSFET
  • SBD

トピックス

  • 2017年6月26日 日経産業・日刊工
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