富士電機株式会社

研究開発テーマ

1.2kV-SiCトレンチMOSFET

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  • トレンチ型MOSFET
  • Si-IGBTモジュール互換パッケージ

富士電機はSi(Silicon)では実現できない高耐圧、低比抵抗、高速動作の特徴を持つSiC(Silico Carbide)-MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)とSBD(Schottky Barrier Diode)を開発しています。

当社独自の薄ウェハ化技術と微細トレンチ構造により、電流のON/OFFを行う「チャネル」の高性能はそのままに、しきい値電圧5Vで世界最高レベルの低オン抵抗を達成しました。これにより、従来のトレンチMOS構造に比べて23%オン抵抗を低減することに成功しました(下図参照)。

さらに、このデバイスは、従来Si-IGBTからの置き換えを可能にするパッケージの互換性を確保しています。

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