富士電機
  • Global
  • 総合サイトマップ
  • 関係会社情報
  • 国内販売ネットワーク
  • 国内拠点

ホーム > 富士電機について > 研究開発 > 研究開発の取り組み > 研究開発テーマ > 1.2kV-SiCトレンチMOSFET

1.2kV-SiCトレンチMOSFET

  • 事業部門・生産技術部門
  • 電子デバイス
  • 共通基盤・先端技術
  • 省エネ
  • SiCパワーデバイス&モジュール
  • トレンチ型MOSFET
  • Si-IGBTモジュール互換パッケージ

富士電機はSi(Silicon)では実現できない高耐圧、低比抵抗、高速動作の特徴を持つSiC(Silico Carbide)-MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)とSBD(Schottky Barrier Diode)を開発しています。

当社独自の薄ウェハ化技術と微細トレンチ構造により、電流のON/OFFを行う「チャネル」の高性能はそのままに、しきい値電圧5Vで世界最高レベルの低オン抵抗を達成しました。これにより、従来のトレンチMOS構造に比べて23%オン抵抗を低減することに成功しました(下図参照)。

さらに、このデバイスは、従来Si-IGBTからの置き換えを可能にするパッケージの互換性を確保しています。

関連製品

Copyright©Fuji Electric Co., Ltd. All Rights Reserved.