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1.2kV-SiCトレンチMOSFET

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富士電機はSi(Silicon)では実現できない高耐圧、低比抵抗、高速動作の特徴を持つSiC(Silico Carbide)-MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)とSBD(Schottky Barrier Diode)を開発しています。

当社独自のトレンチ構造により、 電流のON/OFFを行う「チャネル」の高信頼性はそのままに、しきい値電圧5Vで世界最高レベルの低比抵抗(3.5mΩcm2)を達成しました。これにより、従来のプレーナー構造に比べて50%以上比抵抗を低くすることに成功しました(下図参照)。

さらに、このデバイスは、従来とは大きく異なるピン構造により高電流密度化したSiC専用モジュールにて実用化しています。

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キーワード

  • SiCパワーデバイス
  • All-SiCモジュール
  • MOSFET
  • SBD

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  • 2017年6月26日 日経産業新聞・日刊工業新聞
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