研究開発
研究開発テーマ

SiCハイブリッドモジュールの高耐圧・大容量化

＃事業部門・生産技術部門　＃半導体　＃省エネ

  • 発生損失の低減（従来比31％低減）

  • 現行互換パッケージ

  • 松本工場6インチ製造ラインで生産したSiC-SBDの搭載

SiC-SBDチップとSi-IGBTチップを組み合わせて搭載するSiCハイブリッドモジュールを製品化しています。

従来よりも高耐圧、大容量化したSiCハイブリッドモジュールを開発しています。

例えば、3300V1800Aのモジュールは、発生損失が31％低く、髙効率のインバータ動作が実現します。

ハイブリッドモジュールは既存のSiモジュールとの置換えが容易であり、適用範囲の拡大が見込めます。

今後、他のパッケージにおいてもハイブリッドモジュールを展開していく計画です。

外観（HPM）
損失シミュレーション結果
損失シミュレーション結果
製品ラインナップ

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