研究開発
研究開発テーマ
SiCハイブリッドモジュールの高耐圧・大容量化
＃事業部門・生産技術部門 ＃半導体 ＃省エネ
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発生損失の低減（従来比31％低減）
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現行互換パッケージ
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松本工場6インチ製造ラインで生産したSiC-SBDの搭載
SiC-SBDチップとSi-IGBTチップを組み合わせて搭載するSiCハイブリッドモジュールを製品化しています。
従来よりも高耐圧、大容量化したSiCハイブリッドモジュールを開発しています。
例えば、3300V1800Aのモジュールは、発生損失が31％低く、髙効率のインバータ動作が実現します。
ハイブリッドモジュールは既存のSiモジュールとの置換えが容易であり、適用範囲の拡大が見込めます。
今後、他のパッケージにおいてもハイブリッドモジュールを展開していく計画です。
外観（HPM）
損失シミュレーション結果
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製品ラインナップ