研究開発
研究開発テーマ

SiC MOSFET搭載高電力密度パワーユニット

＃先端技術研究所　＃パワエレ インダストリー　＃半導体　＃共通基盤・先端技術　＃省エネ

  • 絶縁、接合、熱、冷却、パワエレ、SiC パワーデバイス、パッケージなどの先端技術を複合

    • 電力密度81kW/Lを達成

    • 37kW出力で効率99.5％

定格37 kWの強制空冷方式でW99×D64×H72（mm）、出力電力密度として81kW/Lを実現しました。独自のSiC MOSFETモジュール搭載による低損失化と、多層プリント基板の主回路構成による小型化を図りました。試作したユニットの評価において定格出力時に効率99.5%を達成しました。今後、これらの高電力密度化の技術を応用し、幅広い分野へ展開します。

37kWモータ駆動用パワーユニット
単位：（ｍｍ）
パワーユニット効率比較
SiC：開発品
IGBT：従来当社製品