富士電機（株）

電子デバイス事業本部　開発統括部
SiC開発部　デバイス課
2016年度入社
数理物質科学研究科電子・物理工学専攻

特性評価からパワー半導体の可能性を追求
良い特性を得られたときに感じるやりがい

2016年に富士電機入社後、研修を経て現在の所属部署に配属となりました。
トレンチ型MOSFETと呼ばれるパワーMOSFETの特性評価に携わっています。

Q.1現在はどのような仕事を担当していますか？

トレンチ型MOSFETと呼ばれるパワーMOSFETの研究・開発を進めています。プロセス工程の条件を変えて作製されたMOSFETの特性評価をすることで、パワーMOSFETの低損失化に使える条件を模索しています。

Q.2仕事の難しい点、やりがいを教えてください。

半導体は微小なスケールを扱うため、肉眼では確認できないところで問題が発生します。いろいろな可能性を考えて一つ一つ確認しながら原因を究明する点が難しいと感じています。自分の中で予想した通りの結果が得られたり、より良い特性が得られた時はやりがいを感じます。

Q.3仕事で失敗してしまったエピソードを教えてください。

静電気対策不足により素子が壊れてしまうことがありました。装置や素子の原因調査に焦点を当てたため、静電気にたどり着くまで時間がかかってしまいました。自身の視野の狭さと経験不足をはっきりと認識させられました。

Q.4休日はどのように過ごしていますか？

カメラを持って風景を撮りに行ったりしています。自然に触れることで、頭のリフレッシュをしています。