富士電機
フォントサイズ:
 English
サイト内検索
富士電機について 事業紹介 投資家情報 採用情報 お問い合わせ
資料請求 サイトマップ
 
富士電機について
研究開発
→ 研究開発方針・体制
→ 研究開発の取り組み
→ 富士電機技報のご紹介
→ 関連機関リンク集
資材調達
展示会・セミナー情報
企業コミュニケーション情報
 
クヲオ豕ォネッ

富士電機技報のご紹介
■富士時報 第60巻第10号(1987年10月)

富士時報 表紙 パワートランジスタ特集

パワートランジスタ特集に寄せて
池田 吉堯

最近のスイッチングパワートランジスタの技術動向
本文:PDF  
860KB  
内田 喜之

パワートランジスタ分野における最近の技術動向と富士電機における最近の技術成果について述べた。バイポーラトランジスタ(BJT)に加えて、パワーMOS FET,MBT(MOS‐gate Bipolar Transistor)など電圧駆動形デバイスの系列化が進んでいる。また、独自技術により従来のBJTの性能限界の壁を破り、新たにパワートランジスタモジュール"Zシリーズ″を商品化した。最後に、今後の最大の開発課題である「インテリジェントスイッチングデバイス」について、簡単に論じた。

リンギングチョークコンバータ用トランジスタ
本文:PDF  
3,167KB  
寺嶋 二郎,宮坂 忠志

最近の省エネルギー、軽薄短小化の社会的要求から、直流安定化電源はスイッチング方式が主流になりつつある。スイッチング電源の中でも小容量のものは、価格面からRCC方式が主流である。今回、RCC方式用に次の特長を有するトランジスタを製品化した。
(1)hFEが高い
(2)hFEランク分けの実施。
(3)高速スイッチング特性。
(4)RBSOAが広い。

新形1,200Vパワートランジスタモジュール"Zシリーズ"
本文:PDF  
3,906KB  
伊藤 伸一,小林 真一

バイポーラパワートランジスタモジュールは、VVVF,CVCFインバータ装置に広く用いられている。最近、装置の高性能化や小形化のため、高hFE、高周波性能、広いRBSOA及び高短絡耐量を兼ね備えた素子の開発が要求されてきている。本稿では、こうした要求に対応して開発した1,200Vパワートランジスタモジュール"Zシリーズ"の定格、特性と、これを実現するために開発した素子設計技術について、その概要を紹介した。

パワーMOS FET
本文:PDF  
2,400KB  
古畑 昌一,藤澤 尚登,西村 武義

パワーMOS FETの市場が急速に拡大してきた。それに伴い、各分野において、最適なパワーMOS FETのあり方が問われ始めている。本稿ではパワーMOS FETの技術動向、製品系列、及び製品設計上の技術開発について述べた。

MOSゲートバイポーラトランジスタ(MBT)
本文:PDF  
3,506KB  
橋本  理,上野 勝典,西村 武義

パワートランジスタとパワーMOS FETの両者の利点を生かした、高耐圧、大電流、及び高周波で使用できるMOSゲートバイポーラトランジスタ(富士電機呼称MBT)を開発した。本稿では、MBTの構造、動作、設計、定格特性について概説した。本稿で紹介したMBTの定格は、600V/25A、600V/50A,1,200V/25Aの3機種であり、電気的特性のパラメータ依存性は1,200V/25A MBTを中心に述べた。

パワートランジスタの並列接続技術
本文:PDF  
1,816KB  
巣山 廣登,宝泉  徹

大容量の静止電力変換装置にパワートランジスタが適用されるようになり、多数個のパワートランジスタを並列に接続して使用する機会が多くなってきている。本稿では、並列接続時の各素子の電流分担を不均一にする種々の原因とその対策について述べ、更に、具体的な並列接続方法についてその概要を説明した。

パワートランジスタモジュールのドライブ技術
本文:PDF  
3,578KB  
小林 真一,宝泉  徹

ンバータ装置に広く用いられるようになったパワートランジスタモジュールは、従来のサイリスタに比べ回路が簡素化され、かつ高速スイッチングが可能であるが、その特長を最大限に引き出すには、素子の特性を知り最適なドライブ方法を用いることが重要である。本稿では、最新の素子データにより、まずこのドライブ条件と素子特性の関係を明らかにし、更に基本的なドライブ回路設計方法及び設計上の注意点について説明した。

パワートランジスタの保護技術
本文:PDF  
4,626KB  
一條 正美,重兼 寿夫

パワートランジスタを過電圧や過電流から確実に保護するためには、これに関係する素子特性や破壊耐量を熟知し、更に、実際の装置の中で、いかなるメカニズムで、また、いかなる責務が発生するかを考慮しなければならない。本稿では、VVVFインバータを具体的事例として採り上げて、過電圧・過電流発生のメカニズムと、これに関係する素子特性、破壊耐量、更に基本的な保護の考え方を解説した。

パワーデバイスのシュミレーション
本文:PDF  
1,722KB  
橋本  理,田上 三郎

パワーデバイスの動作原理の把握、最適設計、開発期間の短縮にデバイスシュミレーション技術は不可欠となりつつある。MBTを例にとり、パワーデバイスのシュミレーションの手法を紹介した。二次元解析では従来のStone法を拡張し、電子、正孔、ポテンシャルに関する一括同時解法をとった。素子の内部状態、動作原理、電流-電圧特性などが求められる。

富士パワートランジスタの信頼性
本文:PDF  
2,988KB  
白井祺一郎,角  幸雄

富士パワートランジスタの信頼性に関して、まず基本的な考え方を説明し、故障要因の概要と故障モードの代表例、故障解析の具体例を示した。また、信頼性評価試験の項目と目的及び試験内容条件とパワートランジスタモジュールでの試験結果の一例を紹介した。更に加速試験の具体例として、蒸気圧モデルからのプレッシャクッカ試験の耐湿加速性、及び断続負荷試験の接合部の熱疲労加速性について報告した。


*本誌に記載されている会社名および製品名は、それぞれの会社が所有する商標または登録商標である場合があります。著者に社外の人が含まれる場合、ウェブ掲載の許諾がとれたもののみ掲載しています。


   
富士電機株式会社 Copyright (C)2011 Fuji Electric Co., Ltd. All Rights Reserved.