研究開発
富士電機技報
富士電機の最新の技術を紹介する『富士電機技報』は、富士電機創立の翌年、1924年(大正13年)3月1日に創刊しました。それ以来、私たちの歩みの中で脈々と受け継がれてきた“進化の遺伝子”がそこにあります。
現在、世界的にカーボンニュートラルの実現に向けた省エネルギー技術への期待が高まる中、富士電機は中核技術であるパワー半導体でそれに貢献しています。本特集では、電動車のCO2削減、再生可能エネルギーの普及、各種機器の省エネルギー・小型化を実現する産業IPMや電源ICの開発など、富士電機の革新的なパワー半導体技術に焦点を当てます。
また、今後のパワー半導体技術の基盤となる第3世代SiCトレンチゲートMOSFET素子や第8世代IGBT素子など、最先端の開発状況についても詳しく紹介します。
