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富士電機技報のご紹介
■富士時報 第61巻第7号(1988年7月)

 富士時報 表紙 lC特集

半導体技術の将来
広瀬 全孝

富士電機ICの現状
本文:PDF  
1,976KB  
関谷 恒人

富士電機ICのアクティビティを概括的に紹介する。カスタムICを志向して、特長ある技術をベースに主として情報関連分野に展開している。30Vから200Vまでの高耐圧CMOSプロセス、はんだバンプと金バンプの2種類から成る高密度バンプ形成技術、センサ機能を1チップに内蔵し多機能化が可能なセンサ一体化IC技術、などに特長を有する。

バイポーラプロセス技術
本文:PDF  
1,990KB  
目黒  謙,長安 芳彦,佐々木 修

富士電機におけるバイポーラICのウェハプロセス技術について紹介する。
プロセスは、大出力電流、高耐圧を特長とする8μmルールと、高周波特性、高密度を特長とする4μmルールの2種類に分けられる。これらのプロセスは、ICに対する要望に応じ最も適したものを選択することで、ニーズに幅広く対応することができる。

CMOSプロセス技術
本文:PDF  
2,240KB  
古森 敏夫,西澤 正人,佐藤 康夫

富士電機のカスタムIC技術のうち、SiゲートCMOSプロセス技術について、その概要を述べる。特に、約40Vの高耐圧を実現した6μm CMOSプロセス技術、並びにバンプ対応、光センサ内蔵可能など、富士電機独自の2μm CMOSプロセス技術を中心に、その特長、プロセスフロー、素子特性などを紹介する。

Bi-CMOSプロセス技術
本文:PDF  
3,186KB  
長安 芳彦,清水 昌司,吉田  豊

ICの高速化とアナログ・ディジタル複合化の要望にそうべく、2μm ルールのBi-CMOSプロセスの開発を行った。
プロセス技術の特長は、(1)ニ層金属・一層ポリシリコン配線の採用、(2)シリコンゲートCMOSを基本にプロセスを簡略化、である。これらにより、高密度化・高耐圧化を図り、デバイス特性では、バイポーラ部で18Vの高耐圧化、ロジック部で7Vまでの動作を保証している。また、更に高性能特性を得るため、各デバイスの形状を最適化している。

高耐圧DMOSプロセス技術
本文:PDF  
2,312KB  
武田 久雄,藤島 直人,多田  元

高電圧・大電流を制御する電気機器の高性能化や低コスト化を図るため、高耐圧DMOSIC技術を開発した。本技術は、5V系論理部のシリコンゲートCMOSと200〜300V 級の二重拡散形MOSFET、並びにnpnトランジスタを集積化したもので、具体的な応用例としては、フラットパネルディスプレイ駆動ICなどがある。
現在、更に、450V逆阻止耐圧を有するデバイスを開発中で、技術の高度化を図りながら、新たな応用分野の開拓を計画している。

セルベース設計自動化技術
本文:PDF  
1,187KB  
松田 昭憲,笠谷 充男

ASICは、その設計の複雑さが急速に増大する一方、設計期間の短縮が強く要求されている。本稿は、この問題に対処する富士電機のセルベース設計自動化技術について紹介する。本技術は、従来のマスタスライス方式より自由度が高い効率的な設計ができ、RAM/ROM、再使用可能な回路などの大規模回路も一つのセルとして扱える。富士電機のシステムは、回路図入力から自動レイアウトに至るすべての設計工程をサポートできる。現在、より高機能のセル開発を行い、更に高度な総合的自動化システムの構築を進めている。

シミュレーション技術
本文:PDF  
1,166KB  
藤島 直人,長安 芳彦,笠谷 充男

半導体シミュレーション技術は、LSI開発におけるプロセス、デバイスあるいは回路上の諸現象を短時間で正確に解析するために必要不可欠な技術となっている。シミュレータを駆使することにより、最適設計、限界性能把握、更には開発期間短縮、開発費用の低減が図れ、開発の効率化のかぎを握っている。
本稿では富士電機のシミュレーション技術の流れを説明し、プロセス、デバイス、回路シミュレータ及びパラメータ抽出プログラムの機能、物理モデルを述べ、更に実際の応用例について説明する。

バンプ技術を核とした実装技術
本文:PDF  
3,054KB  
天野  彰,白畑  久,広橋  修

富士電機ICの特長ある技術の一つにバンプ技術がある。本稿では、富士電機のバンプ技術を中心とした実装技術について、すなわち、はんだバンプ、金バンプ、パッケージの各々の技術に対して、その特長やプロセスの概要を述べ、これを適用した製品について紹介する。

ICの品質保証
本文:PDF  
2,203KB  
辻  幸一,小山 幸男,片岡 孝三

ICの品質保証に関して、基本的な考え方を新製品企画、開発、設計から納品まで4段階に分けて説明し、その中で重要と考える二つの事柄について記述する。その一つは、ICの故障解析法と故障メカニズムであり、故障解析フローチャート、ICの故障モード、故障原因の一覧表、及びそれらの代表写真を示す。もう一つは、ICの多岐にわたる膨大な量のデータを、いかに的確にわかりやすい形に解析分類し、このデータを源流へフィードバックし、品質信頼性の維持向上を図るかであり、これらについて内容を説明するとともに、重回帰分析活用による改善の一例を示している。

オートフォーカス用IC
本文:PDF  
2,795KB  
西部  隆,鶴田 芳雄,清水 了典

現在量産・開発中のコンパクトカメラ向け、並びに高級カメラ向けオートフォーカスICについて、その構成、原理、製法、性能を紹介する。
本ICは、被写体からの反射光を利用するパッシブ方式で、2μmルールCMOS技術を用いて、ホトセンサ、量子化部、演算部を1チップ上に集積している。その結果、(1)小形、(2)低電圧動作、(3)低消費電流、(4)測距範囲に制約がない、(5)レンズ交換やズーム機能を付帯したシステムに対応可能、などの特長を有する。

液晶関連IC
本文:PDF  
1,484KB  
高木 永次,西尾 春彦

液晶ディスプレイデバイスは、軽量、薄形、低消費電力、更にCMOSICによる駆動が可能などの特徴により、情報・OA関連機器をはじめ広範多岐に応用されており、各種電子ディスプレイデバイスの中でも最も注目を集めている。
本稿では、富士電機の液晶関連ICの中から、CMOSプロセス技術とバンプ技術を適用し製品化した、シンプルマトリックス駆動用ICについて、その機能・特性などの概要について紹介する。

プラズマディスプレイ駆動用IC
本文:PDF  
2,275KB  
石川 弘之,斉藤  実,二宮 秀樹

プラズマディスプレイはネオンを主体としたガス放電でだいだい色に発光し、表示が見やすく、小形で今後の伸長が期待されている。これを駆動するためには、高耐圧、大電流のICが必要である。この大電力化のため開発した高耐圧プロセスを適用することにより、DC形プラズマディスプレイ及びAC形プラズマディスプレイ用駆動ICを開発し、製品化した。これらICの特長、主要特性について述べる。

スイッチング電源制御用IC
本文:PDF  
2,105KB  
黒田 栄寿,丸山 宏志

各種携帯用電子機器電源の制御ICには、低動作電圧化、低消費電力化、周辺部品の削減などが強く求められており、従来の汎用制御ICでは対応が難しかった。

電子ボリューム用IC
本文:PDF  
1,712KB  
重田 善弘,日澤  衛,佐藤  満

音量表示機能を有する電子ボリューム用ICについて紹介する。本ICは外付部品点数が少なく、特に小形テレビ(液晶テレビなど)に最適なICであり、その主な特長は次のとおりである。
(1) アップ/ダウン入力により、16ステップの音量切換と画面表示。
(2) CMOS構造により低消費電流。
(3) 画面表示のタイマ機能を内蔵。
(4) 電源投入時のプリセット機能を内蔵。
(5) SOP16パッケージのための小形。


*本誌に記載されている会社名および製品名は、それぞれの会社が所有する商標または登録商標である場合があります。著者に社外の人が含まれる場合、ウェブ掲載の許諾がとれたもののみ掲載しています。


   
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