富士時報

第70巻第4号（1997年4月）

世紀末の技術戦略-ＬＳＩの"超の技術"をパワーデバイスに融合する

柴田　　直

パワー半導体の現状と展望

桜井　建弥

高度情報化社会は電気エネルギーの消費量を大幅に拡大すると予測される｡電気エネルギーを制御するパワーエレクトロニクス技術､なかでもパワー半導体デバイスの高性能化はより強く要求されている｡富士電機は､(1)インテリジェントモータ制御､(2)インテリジェントパワーマネジメント分野に特化した製品開発戦略のもと､MOSゲートデバイス技術を基盤にしてそのインテリジェント化を推進している｡本稿ではこれらの技術動向について述べる｡　　

120kHz対応ダンパダイオード

桜井　敬二，堀内　康司

パーソナルコンピュータやCADの高性能化･高機能化により､CRTを使用したディスプレイモニタには大画面化､高解像度化が要求されてきている｡これらの要求に対し､ビーム電流の大電流化､水平偏向周波数の高周波化が進められている｡
富士電機では､これらの技術動向に対し､従来のダンパダイオード系列に､新たに過渡順方向特性を大幅に改善し､水平偏向周波数120kHzまで駆動可能なダンパダイオードPG124S15を開発･製品化したので､その概要を紹介する｡ 　

高精細度モニタ用高速高圧ダイオード

太田　裕之，渡島　豪人，

今日のマルチメディア社会においてCRTモニタは大形化が容易､高精細度､低価格などの理由から電子ディスプレイ装置に占める割合は依然として高い｡特にここ数年は､CRTモニタに対する大形化､高精細度化の市場要求は年々増加している｡富士電機ではこのような市場背景を踏まえ､新たに大口径･高精細度モニタ用高速高圧ダイオードを開発した｡特長は高周波大電流駆動における低損失化とサージ耐量の確保であり､今後のCRTモニタのさらなる大形化､高精細度化に十分貢献でき､幅広い適用が期待される｡　

パワーMOSFET

藤沢　尚登，新井　利浩，山田　忠則

今後拡大が期待される携帯機器のバッテリー充放電､電圧安定化制御に適した､SOP-8パッケージの低耐圧､低イオン抵抗パワーMOSFETを開発した｡開発にあたって､チップでは低オン抵抗化技術､パッケージでは放熱特性の改善および信頼性向上を主眼とした｡本稿ではこのSOP-8パワーMOSFETの開発の狙い､チップ設計､パッケージ設計､系列､定格特性の概要を紹介する｡

インテリジェントパワーMOSFET

木内　　伸，工藤　　基，八重澤直樹

自動車エレクトロニクスの進展は､年々一層の拍車がかかっている｡自動車メーカーは､年々増加するシステムの小形化か､低価格化を切望している｡従来､負荷短絡およびサージ電圧からパワーデバイスを保護する目的で､自動車メーカー側で外部保護部品を付加してきたが､上記ニーズに反していた｡このニーズにこたえ､自己保護回路をパワーデバイスと1チップ化したインテリジェントパワーMOSFETを開発した｡本稿ではこのなかから､｢高機能MOSFET｣シリーズを中心に紹介する｡

産業用モールド形IGBT

山口　浩二，五十嵐　隆，石井　憲一

IGBTは､その大電流･高耐圧特性から､産業用分野においてインバータの電源部などに広く用いられている｡富士電機ではこれまで主に大容量分野をターゲットとしてモジュールシリーズを製品系列化してきた｡今回は､1kVA以下の低容量分野への充実化を狙い､TOパッケージにてモールドしたディスクリートデバイス･GシリーズIGBTの開発､製品系列を行ったので紹介する｡

IGBTモジュール

宮下　秀仁，田久保　拡，吉渡　新一

近年､インバータなどの電力変換分野では､市場ニーズである小形軽量化､高効率化､低騒音化を実現するために､低損失､高速スイッチングを特徴とするパワーデバイスであるIGBTの適用が進んでいる｡富士電機は第三世代IGBTの低損失性能に加え､高信頼性などのトータルバランスを追求した新第三世代IGBTモジュール(N,Gシリーズ)の開発･系列化を行った｡今回､高耐圧･大容量化によるIGBTモジュール適用拡大を目的として､NPT-IGBT､車両用高耐圧IGBTの開発を行ったので､その内容を紹介する｡

新形IGET-IPM(Rシリーズ)の開発

山口　厚司，市川　裕章

新形IPM系列(Rシリーズ)について解説する｡今回開発したRシリーズIPMは､従来IPMに対し､IGBTチップの温度を直接検出し､保護する機能を内蔵した｡この機能によって､従来IPMでは保護することができなかったモータロックなどのIGBTチップの急激な温度上昇による熱破壊から保護することができる｡また､IPM内部の制御回路をIC集積することによって､部品点数を大幅に削減し､小形化､高信頼性化､低価格化を実現している｡

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