SiC適用 屋内自立型1,000kVA
装置の小型・低損失化に優れた、SiC MOSFETを適用した業界初のメガソーラ用PCS
SiCモジュールの特長
低損失で熱を逃がしやすく、かつ高周波動作が可能なことから装置の小型・低損失化が可能なデバイスとして期待されている次世代の半導体デバイスです。
SiCを適用したPCSの特長
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高効率を実現(最高効率98.8%)
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小型化(当社500kW2式と比較して約60%の小型化を実現)
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直流2回路に対して個別にMPPT制御を実施します。
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力率0.9においても1,000kW出力が可能
SiC適用 PCS(DC1,000V対応)仕様(屋内自立型)
スイッチギヤ・昇圧変圧器(1,111kVA)仕様
主回路結線図
コラム
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