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SiC素子

SiC素子
 
SiC素子
次世代パワー半導体として期待されているSiC MOSFETを開発しています。当グループではゲート構造をトレンチ型にすることで特性改善を目指し、例えばオン抵抗を従来のIGBTの半分以下にすることを目標としています。



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