富士電機株式会社

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パワー半導体

IGBT

富士電機のIGBT モジュールはモータの可変速駆動装置や無停電電源装置等の電力変換器のスイッチング素子として開発されてきました。IGBT はパワーMOSFET の高速スイッチング性能とバイポーラトランジスタの高電圧・大電流処理能力とを合わせ持った半導体素子です。

IGBT 型式検索

IGBTの製品情報はこちらからご覧いただけます。

保守移行機種を含む 廃型機種を含む

IGBTモジュール Xシリーズの特長

第7 世代「X シリーズ」は、本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みをさらに薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来製品(当社第6 世代「Vシリーズ」)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減しました。搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。

1. 低損失

本モジュールを構成するIGBT素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来製品(当社第6世代Vシリーズ)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減。

インバータロスを10%、チップ温度を11℃低減
(第6世代VシリーズEP3パッケージ75A, fc=8kHz 比較)

2. 小型化

新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向上。電力損失低減と併せて発熱を抑制することで、従来製品に比べて約36%の小型化を達成。

3. 高温動作

高信頼性・高耐熱パッケージおよびチップの最適化により175℃連続動作を実現。

  • 従来製品より更に35%の出力アップも可能
  • ΔTvj パワーサイクル耐量向上(従来比2倍)

IGBTモジュール Xシリーズの製品系列(開発中を含む) 650V/1200V/1700V

PIM: Power Integrated Modules, 複数回路を一つのモジュール内に収めた製品。
RC-IGBT: Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor(逆導通 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
EconoPIM™, PrimePACK™はInfineon Technologies社の登録商標です。

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