富士電機株式会社

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パワー半導体

IGBTモジュール 1-Pack

1-Packは1素子入りの製品で、大容量の電力変換器に適用します。
スタンダードパッケージは、絶縁基板DCBにアルミナと窒化アルミを採用した2種類があります。
電鉄、電力用パワー半導体には高い信頼性が要求され、ハイパワーモジュールが適しています。
高いヒートサイクル耐量とパワーサイクル耐量があり、トラッキング性能CTI>600を確保しました。

1個組 1200V, 1700Vクラス

※製品画像をクリックすると等価回路図をご覧いただけます。

Package Ic 1200V 1700V
V series V series
Aluminium oxide DCB Aluminium nitride DCB Aluminium oxide DCB

M153
300A     1MBI300V-170-50
400A 1MBI400V-120-50 1MBI400VF-120-50 1MBI400V-170-50
600A 1MBI600V-120-50 1MBI600VF-120-50 1MBI600V-170-50
900A 1MBI900V-120-50    

:新製品

:更新

:開発中

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ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300Vクラス

※製品画像をクリックすると等価回路図をご覧いただけます。

Package Ic 1200V 1700V 3300V
V series V series U Series
Cu-baseplate Cu-baseplate AISiC-baseplate AISiC-baseplate

M151,M155
800A       1MBI800UG-330
1000A       1MBI1000UG-330
1MBI1000UG-330B
1200A 1MBI1200VC-120P 1MBI1200VC-170E 1MBI1200VR-170E  
1600A 1MBI1600VC-120P 1MBI1600VC-170E 1MBI1600VR-170E  
2400A 1MBI2400VC-120P 1MBI2400VC-170E 1MBI2400VR-170E  

M152,M156
1200A       1MBI1200UE-330
1500A       1MBI1500UE-330
1MBI1500UE-330B
2400A 1MBI2400VD-120P 1MBI2400VD-170E 1MBI2400VS-170E  
3600A 1MBI3600VD-120P 1MBI3600VD-170E 1MBI3600VS-170E  
         

:新製品

:更新

:開発中

注1: M151, M152: Cu-baseplate M155, M156: AlSiC-baseplate
注2: -330B type: 低スイッチング損失

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