富士電機株式会社

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3レベル電力変換回路用IGBTモジュール

2レベルに比べて、出力波形が正弦波に近くなることから、LCフィルタを小型化できます。また、スイッチング損失が半分になることから、高効率化の実現に有利な特徴を持っています。太陽光発電、無停電電源装置などに向いています。
富士電機は、T/Iタイプ3レベル回路の両方に対応したIGBTモジュールを提供します。特に、TタイプのACスイッチ部に当社独自のRB-IGBT(Reverse-Blocking)チップを採用し、低損失を実現します。

シリーズ一覧

IGBTモジュール 3レベル Vシリーズ

Package Ic T1,T2 600V 1200V 1700V
T3,T4 600V 600V 900V 1200V 1200V
M1203
M1203
  50A   12MBI50VN-120-50      
75A   12MBI75VN-120-50      
100A   12MBI100VN-120-50      
M1202
M1202
M1202
 
50A   12MBI50VX-120-50      
75A   12MBI75VX-120-50      
100A   12MBI100VX-120-50      
M403
M403
  220A         4MBI220VF-170R2-50
300A   4MBI300VG-120R-50 4MBI300VG-120R1-50    
340A   4MBI340VF-120R-50      
400A 4MBI400VG-060R-50 4MBI400VF-120R-50*1      
M404
M404
  450A     4MBI450VB-120R1-50
4MBI450VB-120R1-60
  4MBI450VB-170R2-50
4MBI450VB-170R2-60
600A         4MBI600VB-170R2-50
4MBI600VB-170R2-60
650A     4MBI650VB-120R1-50
4MBI650VB-120R1-60
   
900A   4MBI900VB-120RA-50
4MBI900VB-120RA-60
4MBI900VB-120R1-50
4MBI900VB-120R1-60
   
M404
M404
  600A       4MBI600VC-120-50
4MBI600VC-120-60
 

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UP 更新

UD 開発中

注1:製品名にVFが含まれる型式は低熱抵抗パッケージ適用
注2:-60仕様は特性データ捺印型式
注3:RB-IGBTは逆阻止(Reverse-Blocking)IGBTの略で,逆方向(エミッタ‐コレクタ間)の耐圧を持った素子
*1:UPS, PCSインバータ専用

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