富士電機

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パワー半導体

3レベル電力変換回路用IGBTモジュール

2レベルに比べて、出力波形が正弦波に近くなることから、LCフィルタを小型化できます。また、スイッチング損失が半分になることから、高効率化の実現に有利な特徴を持っています。太陽光発電、無停電電源装置などに向いています。
富士電機は、T/Iタイプ3レベル回路の両方に対応したIGBTモジュールを提供します。特に、TタイプのACスイッチ部に当社独自のRB-IGBT(Reverse-Broking)チップを採用し、低損失を実現します。

IGBTモジュール 3レベル

※製品画像をクリックすると等価回路図をご覧いただけます。

Package Ic T1,T2 600V 1200V 1700V
T3,T4 600V 600V 900V 1200V 1200V

M1203
  50A   12MBI50VN-120-50    
75A   12MBI75VN-120-50    
100A   12MBI100VN-120-50    

M1202

 
50A   12MBI50VX-120-50    
75A   12MBI75VX-120-50    
100A   12MBI100VX-120-50    

M403
  220A         4MBI220VF-170R2-50
4MBI220VF-170R2-60
300A   4MBI300VG-120R-50 4MBI300VG-120R1-50    
340A   4MBI340VF-120R-50    
400A 4MBI400VG-060R-50 4MBI400VF-120R-50*1    
450A   4MBI450VF-120RD-50*2      

M404
  450A     4MBI450VB-120R1-50
4MBI450VB-120R1-60
  4MBI450VB-170R2-50
4MBI450VB-170R2-60
600A         4MBI600VB-170R2-50
4MBI600VB-170R2-60
650A     4MBI650VB-120R1-50
4MBI650VB-120R1-60
   
900A   4MBI900VB-120RA-50
4MBI900VB-120RA-60
4MBI900VB-120R1-50
4MBI900VB-120R1-60
   

M404
  600A     4MBI600VC-120-50
4MBI600VC-120-60
 

注1:製品名にVFが含まれる型式は低熱抵抗パッケージ適用
注2:-60仕様は特性データ捺印型式
*1:UPS, PCSインバータ専用
*2:UPSコンバータ専用
*3:RB-IGBTは逆阻止(Reverse-Blocking)IGBTの略で,逆方向(エミッタ‐コレクタ間)の耐圧を持った素子

:新製品

:更新

:開発中

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