MENU
- 半導体トップ
-
製品情報(半導体)
-
デザインサポート
-
パワーモジュール
- IGBTモジュール
- アプリケーションマニュアル
- 技術資料
- マウンティングインストラクション
- 損失シミュレーション
- 評価用ボード
- セレクションガイド
- SiCモジュール
- アプリケーションマニュアル
- マウンティングインストラクション
- 損失シミュレーション
- セレクションガイド
-
パワーディスクリート
- ディスクリートIGBT
- アプリケーションマニュアル
- 技術資料
- 損失シミュレーション
- P-spiceモデル
- セレクションガイド
- SiCショットキーバリアダイオード(SBD)
- アプリケーションマニュアル
- P-spiceモデル
- 自動車用パワーMOSFET
- アプリケーションマニュアル
- デザインツール
- 電源制御用IC
-
パワーモジュール
- 用途別情報
- 半導体について
- お問い合わせ(半導体)
関連情報
型式検索
パワーMOSFET
富士電機のパワーMOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵抗などの特長を有した製品をラインアップしています。製品一覧
特長
富士電機のパワーMOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵抗などの特長を有しています。
低耐圧MOSFET
低オン抵抗、高ゲート抵抗を特長とした
- 自動車用Trench MOSFET
- IPS
をラインアップしています。