富士電機株式会社

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SiCデバイス

SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現することができます。
SiCデバイス

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特長

SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュール Xシリーズ/Vシリーズ

ハイブリッドSiCモジュール新製品情報

  • 高性能チップ適用
    ー低損失のXシリーズ/VシリーズIGBT
    ー低損失のSiC-SBD
  • 従来のSi-IGBTモジュール製品とパッケージ互換

All-SiCモジュール

  • 最新世代トレンチゲートMOSFET適用による大幅な低損失化を実現
  • 従来のSi-IGBTモジュールと互換パッケージ適用
  • パッケージの低インダクタンス化

SiCショットキーバリアダイオード

SiC-SBD 2Gシリーズ

  • 高速スイッチング特性
  • 低VF特性:VPを従来比(対1G) 約15%低減(650V品)
  • 低IR特性
  • 高順サージ耐量:IFSMを従来比(対1G) 約60%向上

SiC-SBD 1Gシリーズ

  • 高速スイッチング特性
  • 低VF特性
  • 低IR特性
  • 高順サージ耐量
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