半導体について
お知らせ
2020年4月21日
富士電機株式会社
令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において、「当社のIGBT電力用素子の開発」が科学技術賞（開発部門）を受賞しました。
富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、「令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰」において科学技術賞を受賞しましたので、お知らせいたします。
1. 科学技術分野の文部科学大臣表彰について
文部科学省では、科学技術に関する研究開発、理解増進等において顕著な成果を収めた者を「科学技術分野の文部科学大臣表彰」として表彰しています。その中で、科学技術賞 開発部門は、日本の社会経済、国民生活の発展向上等に寄与し、実際に利活用されている画期的な研究開発若しくは発明を行った者が対象となっております。
