パワー半導体

お知らせ

2020年4月21日
富士電機株式会社

令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において、「当社のIGBT電力用素子の開発」が科学技術賞（開発部門）を受賞しました。

富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、「令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰」において科学技術賞を受賞しましたので、お知らせいたします。

1. 科学技術分野の文部科学大臣表彰について

文部科学省では、科学技術に関する研究開発、理解増進等において顕著な成果を収めた者を「科学技術分野の文部科学大臣表彰」として表彰しています。その中で、科学技術賞　開発部門は、日本の社会経済、国民生活の発展向上等に寄与し、実際に利活用されている画期的な研究開発若しくは発明を行った者が対象となっております。
https://www.mext.go.jp/b_menu/houdou/mext_00187.html

2. 受賞内容および受賞者

受賞内容：	科学技術賞　開発部門
業績名：	電界分布制御型IGBT電力用素子の開発
受賞者：	大月　正人（電子デバイス事業本部営業統括部応用技術部　部長）（旧）開発統括部　担当部長）百田　聖自（電子デバイス事業本部開発統括部デバイス開発部　担当部長）桐澤　光明（電子デバイス事業本部生産統括部松本工場チップ製造技術部　主席）吉村　尚　（電子デバイス事業本部開発統括部プロセス開発部）
概要：	電力用パワー半導体素子であるIGBTにおいて、裏面（コレクタ）側に、電界強度を制御するN型不純物の「フィールドストップ層を配置」し、かつその「フィールドストップ層を最適な構造」にしたIGBTを開発・製品化しました。この技術により、従来のIGBTと比較し、「低い導通抵抗化」と「高速スイッチ性能」を同時に達成し、IGBTの低損失化を実現しています。この技術が適用されたIGBTは、自動車分野をはじめ各分野に広く使用され、電力消費削減に、また、地球温暖化防止に寄与しています。