富士電機株式会社

次世代半導体デバイスAll-SiCモジュール搭載

All-SiCモジュールの特長NEW

  • Si(ケイ素)に代わり、SiC(炭化ケイ素)チップを搭載した、自社製の次世代半導体モジュールを保有

  • 低損失、高温動作などの特性を活かし、小型化、高効率化、全閉自冷構造を実現

図:SiCデバイスの特長を活かした製品化技術
図:400V/37kWインバータ部の損失

富士電機の新構造パッケージ適用All-SiCモジュール

電力変換効率を大幅に向上させる独自デバイスをデバイスレベルから自社開発・自社生産しております。

出力低減なしで周温50℃の環境下で使用可能NEW

50℃OK

SiCを活用することにより、高効率化を実現。
周温50℃まで出力低減なしで使用可能です。

  • ※ 屋外設置環境によっては、日射の影響等で出力低減が必要な場合があります。

All-SiCの低損失の特長を活かし全閉自冷・ファンレスが可能にNEW

All-SiCの低損失の特長を活かし、全閉自冷構造が可能となり、全容量でファンレスを実現しました。

約10年間メンテナンスフリーNEW

ファンの目詰まり等によるお手入れが不要で、ファンの交換も発生しないため、メンテナンスフリーとコスト削減を両立しました。

  • ※ 複数の腐食性ガス、温度、湿度などの複合要因により、推定寿命が短くなる場合があります。

  • ※ 部品の熱的な制約により、設計寿命は最長10年となります。

  • ※ パッキンの設計寿命は4年となります。

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